TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)는 450mm 제조의 중요성을 다시 강조하며 대형 웨이퍼와 EUV (Extreme Ultraviolet) 리소그래피 (Lithography)가 7nm와 10nm 공정 제조의 중요한 열쇠가 될 것이라고 밝혔다.
Morris Chang TSMC 회장은 EUV 리소그래피 (리소그래피는 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 기판에 그려 집적회로를 만드는 기술, EUV 리소그래피 (극자외선 리소그래피)는 기존 칩 개발에 사용되는 DUV (Deep Ultraviolet) 리소그래피 기술과 비교해 20분의 1 수준의 파장 광선만으로 개별 회로를 미세한 크기로 조정할 수 있고 이에 따라 회로의 수도 늘어나 프로세서의 성능 향상도 가능해진다.)와 450mm 웨이퍼 기술 및 Fab은 10nm와 그 이상의 공정 기술에 중요하며, EUV 리소그래피 기술은 경제적인 부분에도 중요하다고 언급했다. 또한 ASML의 성공 여부가 EUV 리소그래피 기술에 영향을 줄 것이라고 전했다.
현재 ASML은 6개의 준비단계로 NXE:3100 EUV 시스템을 이용해 11W Light Source로 시간 당 최대 7 웨이퍼 (Wafers)를 생산할 수 있는 것으로 알려졌으며 ASML과 Cymer의 협력을 통해 여름 즈음에는 이를 더 개선할 것으로 알려졌다. 30W Light Source를 이용하는 NXE:3300B를 통해 시간 당 18 웨이퍼 생산이 가능할 것으로 예상했다. ASML은 앞으로 105W 또는 시간 당 69 웨이퍼 생산을 목표로 2014년 마이크로 칩 생산을 달성할 계획이라고 전했다.
xbitlabs는 TSMC는 450mm 웨이퍼 라인이 2016년 또는 2017년 동작을 시작할 것으로 예상했으며, TSMC의 로드맵에 따르면 450mm 웨이퍼 기반의 상업 칩 생산을 2018년부터 가능할 것으로 전망했다.
TSMC는 10nm FinFET 제조 기술을 2016년, 450mm 웨이퍼 기반의 첫 상업 칩은 10nm 공정 이용 또는 7nm 제조 공정을 이용할 것이라고 전했다.
최근 TSMC는 450mm 웨이퍼 테스트 생산을 위한 Fab과 10nm/ 7nm 연구 개발을 위해 대만 Chunan에 14 헥타르 (14 Hectares)의 부지를 매입했고 TSMC의 Hsinchu의 과학공원 (Science Park)으로부터 20분 거리에 있어 매우 가까운 것으로 알려졌다.
한편 TSMC (ASML 지분 5%) 외에도 450mm 웨이퍼 개발을 위해 인텔과 삼성전자 역시 ASML의 지분을 각각 15%와 3% 인수해 전체 23%의 지분을 소유하는 등 차세대 EUV (극자외선) 리소그래피 기술과 450mm 웨이퍼 개발에 힘쏟고 있다.
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[영상] 삼성전자의 반도체 분야별 적과 아군을 명확하게 구분해서 보는 법 
