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삼성전자는 32nm 공정으로 만들어진 NAND Flash 메모리로 만들어지는 SSD에 문제가 발생하여 이 공정의 NAND Flash 메모리가 사용되는 SSD에는 새로운 컨트롤러를 적용할 것이라는 소식이 dailytech에 올라왔다.
32nm 공정 NAND Flash 메모리로 만들어지는 SSD 제품은 기존 컨트롤러를 사용할 경우 쓰기 속도가 느려지는 문제가 발생하여 삼성은 이 문제를 해결하기 위해 32nm NAND Flash 메모리에 사용될 컨트롤러의 업그레이드를 진행하고 있다고 이 사이트는 전했다.
Flash 메모리의 정보는 Floating-gate 트랜지스터로부터 만들어진 메모리 셀의 배열에 저장된다. 이 트랜지스터의 규모는 작은 프로세서 구조를 가지며, 이로 인하여 전자의 흐름이 더 어려워지게 되기도 한다. 이것이 메모리 셀의 쓰기 문제를 발생시키며, ECC (Error Correction Code)를 통해 이를 바로잡는다. ECC 기능은 Flash 컨트롤러를 통해 컨트롤되는데 과도한 쓰기 에러에 의해 오버헤드가 발생하게 되며, 삼성의 기존 컨트롤러에서 이 문제가 발생된 것으로 보고 있다.
삼성은 이 문제가 Toshiba의 32nm NAND Flash 메모리 적용 SSD에서 발생한 것과 유사한 문제로 이를 극복할 수 있을 것이라고 언급했다. 인텔 역시 34nm NAND Flash 메모리 적용 SSD의 문제 발생으로 6개월 동안 대량 생산을 늦췄다.
일반 SSD 제조사들이 많이 사용하는 JMicron과 인디링스 역시 최신 공정의 30nm 급 NAND Flash 메모리 적용시 기존 컨트롤러의 개선이 필요할 것으로 보여진다고 전했다.
이전 공정보다 보다 저렴하게 생산될 것으로 알려진 30nm 급 NAND Flash 메모리가 등장하더라도 기존 컨트롤러들에서 문제가 등장하고 있는 만큼 당분간 SSD의 가격하락은 기대하기 어려워졌다. |
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