SK하이닉스(SK Hynix)가 업계 최고속 HBM2E D램 개발에 성공했다.
HBM (High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리)은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하던 통상적 방식이 아닌 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩에 수십 마이크로미터 간격 수준으로 가까이 장착해 칩간 거리를 단축하고 더 빠른 데이터 처리를 가능케한다.
특히 이번에 SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 향상시킨 HBM D램의 차세대 제품으로 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다. HBM2E 핀당 3.6Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 I/O를 통해 480GB/s의 데이터 처리가 가능하다. 이는 풀HD급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.
용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 기존 패키징 방식보다 크기와 전력 소모를 줄이는 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.
SK하이닉스는 이번에 개발한 HBM2E D램이 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, 인공지능 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이라고 설명했다.
SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 "SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다"며 "HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다"고 밝혔다.
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[뉴스] SK하이닉스, TSMC와 손잡고 HBM 기술 리더십 강화 
