엘피다 메모리 (Elpida)와 파워테크 (Powertech Technology, 이하 PTI), UMC (United Microelectronics Corp.)의 3사는 28nm 공정과 이를 적용한 3D 프로세스 (3D 트랜지스터) 기술 개발을 위해 연합했다는 소식이다.
UMC와 PTI의 엔지니어들인 이미 엘피다의 TSV 제품 개발을 위해 히로시마에 위치한 연구소에서 협력을 진행중이라고 xbitlabs는 밝혔다. 이번 협력을 통해 엘피다의 DRAM과 PTI의 조립, UMC의 파운드리 기술을 결합해 DRAM 내장 솔루션의 원칩 3D 로직 기술을 개발에 큰 성과를 거둘 수 있을 것으로 전망되고 있다.
TSV (Through Silicon Via) 기술을 이용한 DRAM과 로직 기술은 모바일과 휴대용 전자기기의 커뮤니케이션 및 소비자, 컴퓨팅 (3C) 애플리케이션들이 필요로 하는 성능을 한층 이끌어낼 수 있을 것으로 예상된다.
3사의 연합으로 DRAM 인터페이스 디자인과 TSV 형성, 웨이퍼, 테스팅 및 칩 스태킹 조립 등의 종합 솔루션 개발이 가능할 것으로 보여지며, 이 기술은 가격 경쟁력과 로직 수율 향상, 그리고 3D IC 시장 전체를 가속할 것이라고 전했다.
3D 트랜지스터 기술은 인텔이 최근 22nm 공정의 아이비브릿지 (Ivy Bridge) 프로세서에 적용할 것으로 알려진 트라이게이트 (Tri-Gate) 기술 등이 알려져 있으며, DRAM 분야에서 삼성전자 등에서도 이와 유사한 기술을 개발 등이 이루어지고 있는 것으로 알려져 있다.
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