메인 > 태그검색 > 관련기사
 ReRAM
다른 표기 / 소속제품 : Resistance Random Access Memor    저항변화형 메모리   RRAM     
관련기사 : 'ReRAM' 와 관련있는 기사
     
IBM, 스탠포드대학과 CPU-메모리 통합 칩 개발 발표
2015년 스탠포드와 캘리포니아, 버클리, 미시간, 카네기 멜론 4개 대학이 참여한 연구팀이 3D 기반 CPU와 메모리 통합 기술인 N3XT(Nano-Engineered Computing Systems Technology) 기반 스카이스크레이퍼 구조를 발..
[기타디지탈] / [뉴스] 2017-07-10
스토리지 클래스 메모리 기대, 소니 100Gb ReRAM 개발 신기술 발표
소니(Sony Semiconductor Solutions Corp)에서 약 100Gb(12.5GB)에 달하는 크로스 포인트 타입 ReRAM 개발을 발표했다. ReRAM은 자극에 따라 저항(Resistance)값이 변하는 성질을 이용한 비휘발성 메모리로, VLSI..
[CPU/메모리] / [뉴스] 2017-06-27
파나소닉-UMC, 차세대 40nm ReRAM 양산 과정 공동 개발
파나소닉(Panasonic)이 대만 반도체 업체인 UMC(United Microelectronics Corporation)과 차세대 ReRAM 양산 과정의 공동 개발에 합의했다. ReRAM(Resistive Random Access Memory, 저항 변화형 메모리)은 현재 ..
[기타디지탈] / [뉴스] 2017-02-02
크로스바 저항변화메모리 RRAM, 2015년 샘플 공개 및 2015년 말 또는 2016년 초 양산 예정
낸드 플래시 (NAND Flash) 메모리는 현재 SSD (Solid State Drive) 장치의 표준으로 사용되고 있으며 점차 3D 스택 메모리와 진보된 공정 적용으로 이동하는 추세지만 미세공정은 여러 가지 문제점이 있다. 그에 따..
[모바일소식] / [뉴스] 2014-12-24
소니, ReRAM 2015년 상용화 목표로 개발 중
현재 대표적인 비휘발성 메모리로 사용되고 있는 2D 기반 낸드 플래시는 공정 미세화에 따라 주변 셀간의 누설 전류로 인한 간섭 문제와 수명 문제로 한계가 가까워졌다는 것이 중론이다. 이런 와중에 이를..
[스토리지 장비] / [뉴스] 2013-08-22
신생 메모리 업체 Crossbar, 단일 칩으로 1TB를 구현하는 RRAM 기술 개발
캘리포니아에 위치한 신생 메모리 기업 크로스바는 플래시 메모리에 도전하는 비 휘발성 메모리 기술을 발표했다. Crossbar RRAM이라고 명명된 이 메모리는, 200제곱 밀리미터 (엄지손톱만한 크기)에 1TB를 저장할 ..
[악세사리] / [뉴스] 2013-08-07
파나소닉, 차세대 메모리 ReRAM 탑재 마이크로 컨트롤러 양산
파나소닉(Panasonic)에서 차세대 비휘발성 메모리 ReRAM을 탑재한 마이크로 컨트톨러를 세계 최초로 양산한다고 밝혔다. ReRAM(Resistance Random Access Memory)은 차세대 비휘발성 메모리 중 하나로 속도는 빠르..
[인터넷/SNS소식] / [뉴스] 2013-07-31
관련기사 더보기
관련 게시물 : 'ReRAM' 와 관련있는 커뮤니티 게시물
   최신순   
관련 커뮤니티 게시물이 없습니다.
 
 
2014년 1월
주간 히트 랭킹

실시간 댓글