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메모리 문의 .
rora (ID)

조회 : 1342
작성일 : 2003/07/12 10:59
간편 URL : http://www.bodnara.co.kr/bbs/bbs.html?D=11&num=40803
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궁금한게 있어서 문의 합니다.

메모리에 보면은 3-3-3 이런게 있던되요.
이것은 무엇을 말하는건가요?

숫자가 작으면 작을수록 좋다고 하던데요.
숫자가 작으면 무엇이 빨라지는지 궁금합니다.
그리구 저숫자들이 무엇을 말하는건지 답변좀 부탁 드립니다.

그럼 행복하시구요.
xxx
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  hufskon (hufskon) /  2003-07-12 20:36 / IP/ 신고/ 이댓글에댓글달기
  CL이란 CAS Latency를 줄인 말입니다.

CL2와 CL3의 차이점은 Latency 즉 지연시간입니다. 램의 속도는 정해져 있으니 램이 어떤 작업을 수행할때 램의 클럭에 맞춰서 지연시간을 정해놓는 겁니다. CL2는 2클럭 사이클, CL3는 3클럭 사이클이 지연시간입니다. 그러므로 당연히 지연시간이 적은 램이 더 빠르겠죠?

CL은 다음의 세 가지로 나뉩니다.

1. tCAC/tCLK - Column Access Time/tCLK. CAS Latency. 일반 PC133램의 tCAC는 약 20~22.5ns정도입니다. 그러므로 20~22.5나노초/7.5나노초(FSB133의 tCLK)=2.666~3.000의 레이턴시가 나옵니다. FSB100의 경우 20~22.5/10(FSB100의 tCLK)=2.00~2.25이므로 tCAC가 20나노초인 경우만 2이고 2.25일때는 2보단 높으므로 3입니다.

2. tRCD/tCLK - RAS와 CAS Access 사이의 시간/tCLK. 일반 PC133램은 스펙상 20나노초가 걸립니다. 계산해보면 20/7.5=2.666...을 반올림해서 3, FSB100에선 20/10=2입니다.

3. tRP/tCLK - 메모리 뱅크간 스위칭을 하는데 걸리는 시간/tCLK. 일반 PC133램은 스펙상 20나노초가 걸립니다. 계산해보면 20/7.5=2.666...을 반올림해서 3. FSB100에선 20/10=2입니다.

(tCAC,tRCD,tRP는 해당 램 제조회사 데이타시트에서 확인할수 있습니다. tCAC는 안나와 있을 수도 있습니다.)

tCLK는 1 Clock Cycle당 걸리는 시간입니다. 즉 FSB 133Mhz는 초당 133메가 clock cycle이므로 1초/133메가=7.5나노초가 tCLK입니다. FSB 100에서는 10나노초이구요. 그러므로 위와 같이 tCAC, tRCD, tRP를 FSB에 따라 tCLK으로 나누면 각 FSB에서의 메모리 레이턴시가 나옵니다. 이렇게 계산해 보면 일반 PC133은 FSB133에서 레이턴시가 3-3-3이, FSB100에서는 3-2-2나 2-2-2가 정상이라는 결론이 나옵니다. PC133램 중에 공식적으로 FSB133 CL2를 지원하는 램이면 FSB150, 3-3-3까지 가능합니다.

DDR SDRAM의 경우에는 CL2와 CL2.5가 있습니다. CL3가 아닌 CL2.5인 이유는 DDR SDRAM은 SDRAM과 같은 레이턴시를 갖지만(구조는 둘다 거의 같습니다.) 클럭 두배 뻥튀기이기 때문에 이론적으로 CL2와 CL3의 차이인 1을 2로 나눈(클럭당 2배로 전송하므로 2로 나누는 겁니다.) 1/2의 레이턴시가 더해지게 됩니다. 그러므로 CL2.5가 되는 겁니다.(SDRAM의 CL3와 DDR의 CL2.5는 같은 거라고 생각하시면 됩니다)

출처 : 제 글+하이텔 하드동 강좌란의 글(틀린부분이 조금 있어서 수정했습니다)

사용하시는 보드별로 다소 최적화에 차이가 있습니다. CAS와 함께 뱅크도 조절해주시면 됩니다. 산드라에서 확인하시면서 하면 되구요...

  hufskon (hufskon) /  2003-07-12 20:36 / IP/ 신고/ 이댓글에댓글달기
  위 글의 출처는 이범신 탱커님께서 정리하신걸 올려드렸습니다. 제가 쓴 글이 아님을 알려드립니다^^
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