내용에 따르면,
하이닉스가 새로운 차세대 램을 위해 ISi의 Z-RAM을 사용하기 위해 라이센싱을 했다고 합니다.
Z-RAM이란,
기존의 캐패시터와 트랜지스터를 기반으로 한 셀이 아닌 단일 트랜지스터만을 사용한 방식을 사용하며, 더 낮은 전력과 집적도를 향상시킨 방식으로, 주로 임베디드 칩셋에 내장되어 사용되던 것이라 합니다. 게다가 기존의 방법과 다르게 더 저렴하다고 하는군요.
하이닉스는 이 Z-RAM을 일반 DRAM 시장에 내놓기 위해 준비를 하는 것이라고 합니다.
따름글 내용에,
이론적으로도 집적도를 2배로 높이는 방법에도 좋은 방식이며, 1.2볼트 전압에 0.02mA의 전류로 동작이 가능하며, 대기시 누설 전류가 0에 가까워 일반 DRAM보다 적은 3분의 1의 전력과 그에 동반해 발열도 3분의 1로 줄어든다고 하는군요. 게다가 레이턴시도 2~3ns로 DDR3의 평균 레이턴시보다 4~6배 정도 낮다고 합니다.
자세한 관련 내용은
여기.
여하튼 새로운 방식의 Z-RAM. 상당히 기대됩니다.
