내용에 따르면,
IBM과 TDK가 MRAM 개발을 위해 협력하기로 했다고 합니다.
spin momentum transfer effect로 지금보다 훨씬 작고 집적도가 강화된 MRAM 개발이 가능해질 수 있다고 하는군요.
MRAM은 무한 쓰기 읽기가 가능하고 속도도 빠르며, 전력 소비도 적으며 내용이 사라지지 않습니다.
얼마전에 실용화된 제품이 나왔으나 너무 용량이 작고 비싸서 실패한 듯 한데, 결국 새로운 방법으로 개발되어 실용화된다는 좋은 소식이군요.
일단 개발이 되면 기존의 플래시를 대체할 가능성도 있습니다. 영구적이라는 장점이 가장 큰 메리트겠죠.
