내용에 따르면,
일본의 과학자들이 100년 넘게 가능한 수명이 긴 플래시 메모리를 발명했다고.
이는 또한 더 낮은 전압에서 동작하게되어 저전력도 가능하다고 하는군요.
그리고 지금의 플래시 메모리는 20나노 이하의 공정으로는 만들 수가 없어 집적도에 한계가 있다고 합니다. 인텔이 32나노 공정을 준비하고 있고 곧 이 제한에 다다를 것이라고.
새로운 플래시 메모리는 ferroelectric(강유전성)을 이용해 10나노 공정으로도 만들 수 있고 또한 1억회 만큼 쓰기를 할 수 있다고 합니다. 현재의 플래시 메모리는 1만회 정도만 쓰기를 할 수 있습니다.
수명이 다한 메모리 셀을 다른 셀로 대체하면 수명이 100년 이상이 된다고 합니다.
또한 새로운 플래시 메모리는 6볼트 이하에서 사용이 가능해 현재의 플래시 메모리에서 20볼트를 쓰는 것에 비해 보다 낮은 전력을 소비한다고 합니다.
잘 내용을 옮겼나 모르겠군요.
참고하시길.
