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Intel, 신재료 사용한 저전압 동작하는 트랜지스터 개발
미 Intel는 7일(현지시간), 신재료를 사용한 저전압으로 동작하는 트랜지스터를 개발했다고 발표했다.
이 기술을 이용한 CPU, 칩셋은 향후 5년부터 10년간 제조 개시될 전망.
Intel은 영국 QinetiQ와 공동으로, 신소재 안티몬화 인지움(원소 기호：InSb)을 채용한 트랜지스터를 연구.
이 소재를 이용해 제조된 강화모드(대부분의 프로세서 제품으로 채용되고 있다)의 트랜지스터가
전류를 흘리는 것을 증명했다.
이번 발표된 트랜지스터는 약 0.5V로 동작하기 때문에,
현행 CPU로부터의 대폭적인 전력 삭감이 기대된다.
원본출처 :
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/1208/intel.htm
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