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EE타임즈의 보도에 따르면 AMD는 향후 자사의 프로세서 제조에 Innovative Silicon사의 Z-RAM 기술을 사용할 수 있도록 하는 라이센스를 체결했다고 합니다. 구체적인 도입 시기는 명확히 언급하지 않았습니다.
Z-RAM에 대한 정보는 아래 기사를 참고하세요.
Innovative Silicon는, 표준적인 논리·프로세스로 제조 가능하고 고밀도·저비용을 실현한다고 노래하는 메모리 기술 「Z-RAM」를 발표했다.
스위스의 Innovative Silicon는, SOC(시스템 온 칩) 용의 편입계 DRAM 메모리 기술 「Z-RAM」를 발표했다.표준적인 논리·프로세스로 고밀도·저비용을 실현하는 것이 특징으로, 특별한 재료나 마스크·스텝증가가 필요없다고 한다.향후, PC나 PC주변기기, 컨슈머(consumer) 엘렉트로닉스 분야에서의 시장 참가를 목표로 한다.
Z-RAM는, 기본적으로는 SOI(실리콘·온·인슈레이타) 기술을 채용한 것.SOI란, 절연막(인슈레이타) 상에 형성한 단결정 실리콘을 기판(실리콘 웨퍼)으로 한 반도체 기술을 가리킨다.이것에 의해 전하를 모으기 위한 캐패시터(콘덴서)를 이용하지 않고 끝나는 「제로 캐패시터」를 실현하고 있어 단일 트랜지스터만으로 셀을 구성할 수 있다.덧붙여 Z-RAM의“Z”는“제로(Zero) 캐패시터”의 Z라고 한다.
SOI 디바이스에는, 디바이스 본체에 과잉 전하가 발생하는 「플로팅·보디 효과」가 존재한다.동사에서는, 「“바람직하지 않은 현상”으로 되어 있는 이 효과를 컨트롤 해, 강화하는 것으로 「1」 「0」의 논리를 나눈다」일에 성공했다.이것에 의해, 메모리로서 1/0의 바이너리 정보를 취급할 수 있다고 한다.덧붙여 정보의 읽기에는 전류 센스 증폭기를 이용하고, 선택한 셀의 전류와 기준 셀의 전류를 비교하는 구조
플러스의 전하 효과와 마이너스의 전하 효과를 이용하는 것으로 「논리“1”」 「논리“0”」를 나눌 수 있는
고밀도, 저비용, 저전압
Z-RAM에서는 다이 면적을, 같은 프로세스 기술을 이용한 종래의 DRAM나 SRAM와 비교해 「반으로부터 5분의 1으로 하는 것이 가능」(동사).그 만큼, 코스트를 내릴 수 있다고 한다.
SOI 웨퍼를 이용하는 분 , 초기 투자는 약간 비싸지지만, 팁상의 메모리 점유율이 높아지면 종래의 실리콘 웨어보다 아득하게 저비용으로 할 수 있다고 노래한다
않는다」(동사).구체적으로는, 종래의 실리콘 웨어와 비교해 소비 전력을 35%저감 하고 있다.기입시에 트랜지스터를 오프로 하는 등, 이러한 저소비 전력을 실현하고 있다고 한다.
IP로 제공 예정, 컨슈머(consumer) 마켓 목표로 하는
동사는 Z-RAM를 IP라이센스로서 공여하는 형태를 생각하고 있다.라이센스 모델로서는, 스스로 메모리를 설계·변경할 수 있는 「기술 라이센스」나, 메모리·컴파일러를 이용해 인스턴스를 생성할 수 있는 「컴파일러·라이센스」 등, 각종 방식을 준비한다고 한다.
현재는, 메가 비트·사이즈를 실현해 3 나노초의 읽고 쓰기 속도를 가지는 테스트 팁을, 90 나노 프로세스로 제작중.비트 셀·사이즈는 0.18 마이크로 미터가 되고 있다.「향후 게다가 22 나노의 디자인 룰에 스케일 다운하는 일도 가능」.
참가 가능한 마켓으로서는, 네트워크 기기, PC주변기기등의 SOC에의 매입을 상정한다.일본은 컨슈머(consumer) 디바이스의 시장이 크고, Z-RAM의 기술이 도입되는 여지는 있다고 보고 있어 「미국보다 일본에서 재빨리 발표한 것은, 그 때문이다」라고 했다.
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원본출처 :
http://plusd.itmedia.co.jp/mobile/articles/0501/25/news005.html
파코즈 하드웨어
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