삼성전자가 반도체 파운드리 로드맵에 11나노(nm) 신규 공정을 추가했다.
삼성전자는 11일 보도자료를 통해 파운드리 첨단 공정 로드맵에 11나노 신규 공정(11LPP, Low Power Plus)을 추가하며 한층 강화된 포트폴리오를 선보인다고 밝혔다.
11LPP는 기존의 삼성전자 14나노 공정 안전성과 설계 환경을 기반으로 한 공정으로, 14LPP와 비교해 동일한 소비전력에서 성능은 최대 15% 향상되고 칩 면적은 최대 10%까지 줄일 수 있는 것이 특징이다.
삼성전자는 이번 11나노 공정 추가를 통해 플래그십 스마트폰용 10나노 프로세서 시장 뿐만 아니라 지속적으로 성장하고 있는 중고급 스마트폰용 프로세서 시장에서도 고객들에게 차별화된 가치를 제공할 계획이라고 밝혔다.
현재 삼성전자는 10나노 1세대 FinFET 공정(10LPE)을 통해 올해 출시된 플래그십 스마트폰용 모바일 프로세서 엑시노스 8895 및 퀄컴 스냅드래곤 835 칩셋을 양산 중이며, 2세대 공정인 10LPP 개발을 완료하고 내년에는 3세대 10nm 공정(10LPU) 공정 양산까지도 계획 중이다. 또한 이미 10nm 이후 공정 기술인 8nm와 7nm, 6nm, 5nm, 4nm까지 차세대 파운드리 로드맵을 발표했다.
그러나 14nm 공정으로 생산되는 대부분의 중보급형 모바일 프로세서 물량을 대체하기 위해 14LPP의 파생 공정인 11nm LPP를 신규 도입한 것으로 보이는데, 11LPP 공정에서는 칩 면적이 10% 줄어들면서 웨이퍼당 칩셋 생산량도 더 늘어날 것으로 예상되고 있다. 11LPP 공정은 내년 상반기부터 생산에 들어갈 예정이다.
또한 삼성전자는 업계 최초 EUV (Extreme Ultra Violet) 기술을 적용한 7nm 공정을 내냔 하반기 생산 착수를 목표로 순조롭게 개발하고 있다고 밝혔다. 삼성전자 파운드리 8nm 공정(8LPP)이 EUV 리소그래피로 전환하기 전 마지막 공정 기술인 만큼 7nm부터는 EUV 리소그래피 솔루션을 사용하게 된다.
삼성전자는 7나노 EUV 공정 개발을 위해 EUV를 적용한 웨이퍼가 2014년부터 약 20만장에 이르며, 지금까지 축적된 경험을 바탕으로 파운드리 공정 양산 완성도를 나타내는 척도인 SRAM(256Mb)의 수율 80%를 확보하는 등 가시적인 성과를 거두고 있다고 설명했다.
삼성전자는 지난 5월 파운드리 사업부 출범 이후 미국(5월)과 한국(7월)에서 파운드리 포럼을 개최해 글로벌 고객과 파트너사를 대상으로 첨단 공정 로드맵을 공유한 바 있으며([관련기사] 삼성전자, 4nm 공정까지 차세대 파운드리 로드맵 발표), 이달 15일에는 일본 도쿄에서 삼성 파운드리 포럼을 열어 기존 공정 로드맵과 함께 추가된 11나노 공정과 7나노 개발현황을 발표할 예정이다.
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