지금까지 생산된 단일 원자 트랜지스터는 연구소에서 연구 중 우연히 발견되는 것들이 대부분으로, 이번 기술 개발은 인위적으로 단일 원자 트랜지스터를 생산할 수 있다는 데 의미가 있다.
TG Daily에 따르면, 이번 기술은 진공 챔버 내부 크리스탈 표면에 원자를 확인하고 조작하는 스캐닝 터널링 마이크로스코프(STM, 원자현미경)을 이용했으며, 리소그래피 과정을 거쳐 인 원자에 패턴을 그려 트랜지스터를 만든 후, 무반응성 수소 레이어로 코팅하는 기법을 활용했다.
여기에는 STM의 팁을 이용해 수소 원자를 선택적으로 제거, 화학적으로 실리콘 표면의 인 원자와 반응시키는 기법이 활용됐으며, 최종적으로 실리콘 레이어로 캡슐화 한 후 에치드마커(etchedmarkes)를 통해 트랜지스터의 외부 연결용 커넥션을 형성한다.
연구를 이끈 뉴 사우스 웨일즈 대학 컴텀 컴퓨팅과 통신 ARC 센터의 Michelle Simmons 교수는 이에 대해 "이번 연구는 누구나 의도한바대로 정확하게 단일 원자를 제어할 수 있는 최초의 연구 결과"라고 소개하고, "이번 연구 결과를 통해 컴텀 컴퓨팅을 향한 큰 발걸음을 내딛게 됐다"고 소감을 밝혔다.
Simmons는 또한 "무어의 법칙은 단일 원자 트랜지스터가 약 2020년 상용화될 것으로 예측했으나, 이번 기술 개발을 통해 이러한 예측을 보다 앞당길 수 있을 것"이라고 소개했다.
이번 연구에 사용된 인은 주기율표상 15족 3주기 비금속 원소로 원자 반지름은 100pm, 반데발스 반지름은 180pm이다.
