|
●성능 테스트●
1.
기본스팩테스트 (CPU:1.475V VDD:1.6V 램전압:2.7V)
A.
삼성 DDR3200(512MB)
△삼성
DDR PC3200의 기본 램타이밍(3.0-4-4-8)
CPU-Z
1.27버전을 이용해서 삼성메모리의 기본 램타이밍을 살펴보았습니다.
기본 램타이밍(3.0-4-4-8)으로 설정하고 기본스팩테스트를 진행하겠습니다.
△Memtest
모습
기본스팩테스트는
역시나 무리없이 통과하였습니다.
|
Int
Buff'd aEMMX/aSSE
|
2920
MB/s
|
|
Float
Buff'd aEMMX/aSSE
|
2648
MB/s
|
△SiSoftware
Sandra Lite 2005.SR1 대역폭
Sandra 테스트를
통해 대역폭을 측정했습니다.
△SuperPi
1M측정
SuperPi를
통해서 성능을 측정해보았습니다. 1M측정시 52초라는 기록이 나왔습니다.
B.TRANSCEND DDR3200 JETRAM(256
X 2 =512MB)
△TRANSCEND
DDR PC3200의 기본 램타이밍(2.5-3-3-8)
기본램타이밍이
2.5-3-3-8이라 삼성메모리와 비교했을시에 램타이밍이 좀더 좋았습니다.
삼성메모리는CL3이지만 TRANSCEND메모리는 CL2.5였기 때문에 성능도
좋을거라는 예상을 했습니다.
△Memtest
모습
기본스팩으로
Memtest를 통과하는 모습입니다.
|
Int
Buff'd aEMMX/aSSE
|
2959
MB/s
|
|
Float
Buff'd aEMMX/aSSE
|
2688
MB/s
|
△SiSoftware
Sandra Lite 2005.SR1 대역폭
Sandra를
통해서 대역폭을 측정해 보았습니다. 역시 예상대로 기본스팩에서는
삼성메모리보다 좀더 나은 성능을 보여주고 있었습니다.
△SuperPi
1M측정
SuperPi
1M에서 51초라는 기록이 나왔습니다. 이것은 기본스팩일 때 삼성메모리
보다 1초 빠른기록이었습니다. 이 테스트를 통해서 기본스팩에서는
CL2.5인 TRANSCEND메모리의 우세였습니다.
2.
오버클럭킹테스트 (CPU:1.5V VDD:1.7V 램전압:2.8V)
오버클럭킹
테스입니다. 일단 CPU전압은0.025V올려주고 VDD전압도 0.1V올려주고
램전압은 2.8V세팅입니다. 배수는 일단9배수로 낮추고 테스트를 하였습니다.
A.
삼성 DDR3200(512MB)
△삼성 DDR
PC3200의 FSB220에서 에러모습
FSB220에서
삼성램이 에러를 뿜는 모습입니다. 램전압2.8V에서 FSB219가 한계였습니다.
B.TRANSCEND DDR3200 JETRAM(256
X 2 =512MB)
△TRANSCEND DDR
PC3200 JETRAM의 FSB223에서 통과모습
삼성램과
대조적으로 TRANSCEND메모리는 램전압2.8V에서는 FSB223까지 통과하는
모습입니다.
3.
오버클럭킹테스트2 (CPU:1.5V VDD:1.7V 램전압:2.9V)
램전압을
2.9V로 올려서 오버클럭킹테스트2를 해보았습니다.
A.
삼성 DDR3200(512MB)
△삼성 DDR
PC3200의 FSB225통과 모습
삼성램은
FSB225까지 통과하였습니다.
△삼성 DDR
PC3200의 최대FSB오버
삼성램의
최대 FSB는 225였습니다.
|
Int
Buff'd aEMMX/aSSE
|
3236
MB/s
|
|
Float
Buff'd aEMMX/aSSE
|
2926
MB/s
|
△SiSoftware
Sandra Lite 2005.SR1 대역폭
최대
FSB225로 설정후 Sandra테스트를 통해서 대역폭을 측정하였습니다.
△SuperPi
1M측정
SuperPi
1M테스트에서 49초라는 결과가 나왔습니다. 기본스팩테스트보다 3초
단축된 결과입니다.
B.TRANSCEND DDR3200 JETRAM(256
X 2 =512MB)
△TRANSCEND DDR
PC3200 JETRAM의 FSB225에러 모습
램전압2.8V에서
FSB223까지 들어갔지만 2.9V에서도 역시 한계는 FSB223이었습니다. FSB225에서는
에러를 뿜었습니다. 하지만 램소켓에 따른 오버율이 다르기 때문에 만약에
512MB하나로만 같은 램소켓에서 테스트 했다면 아마 결과가 달라졌을지도
모른다는 생각이 들었습니다.
△TRANSCEND DDR
PC3200 JETRAM의 FSB223통과 모습
2.9V에서도
FSB한계는 223이었습니다. 하지만 이것이 램의 한계라고 생각되지는
않았습니다. 삼성램은 512MB였기 때문에 램소켓1번에 꼽고 테스트 하였지만,
TRANSCEND램은 256MB 두 개이기 때문에 어쩔 수 없이 싱글채널을 설정하기
위해서 램소켓2번과 3번을 사용했습니다. TRANSCEND 512MB하나로 램소켓1번에
꼽고 테스트를 했다면 결과는 달라졌을 거라는 생각이 듭니다.
△TRANSCEND DDR
PC3200 JETRAM의 최대FSB오버
램소켓
오버율의 차이에 의해서인지 램전압을 2.9V로 올려도 FSB223이 한계였습니다.
|
Int
Buff'd aEMMX/aSSE
|
3204
MB/s
|
|
Float
Buff'd aEMMX/aSSE
|
2901
MB/s
|
△SiSoftware
Sandra Lite 2005.SR1 대역폭
Sandra테스트로
대역폭을 측정하였습니다. 삼성램의 최고FSB보다 아주약간 모자른 대역폭이
나왔습니다. FSB2의 차이라고 볼 수 있습니다.
△SuperPi
1M측정
SuperPi
1M테스트에서는 49초로 삼성램최고FSB오버성능과 동일하게 나왔습니다.
8M로 측정했다면 아무래도 삼성램이 좀더 좋은 성능이 나왔을 거라 생각됩니다.
4.
오버클럭킹테스트3 (CPU:1.5V VDD:1.7V 램전압:2.9V)
오버클럭킹테스트3에서는
FSB오버가 아닌 FSB200세팅(2-3-3-11)테스트를 실시하였습니다. CL타이밍값을
2로 조인후에 테스트를 실시하였습니다.
|
|
Samsung
|
TRANSCEND
|
|
포스팅
|
X
|
O
|
|
Memtest
|
X
|
X
|
△CL2
테스트
CL2테스트
에서는 삼성램은 포스팅도 불가능하였지만 TRANSCEND램은 포스팅은 가능하였지만
멤테스트에서 무수한 에러를 뿜었습니다. 이 테스트로 램수율은 TRANSCEND램쪽이
좀더 우세하다는 결론을 내렸습니다.
|
