대만 디지타임즈 (Digitimes)는 삼성전자가 경쟁력 재고를 위해 25nm DRAM 생산량을 늘릴 것이라고 밝혔다. 이와 같은 결정으로 경쟁 관계에 있는 마이크론 (Micron)과 SK하이닉스 (SK Hynix)에 위협이 가해질 것으로 보인다고 전했다.
현재 마이크론 (Micron)은 20nm 공정 기술 이전이 2014년 말까지 어려울 것으로 알려졌으며 SK하이닉스 역시 중국 DRAM Fab이 지난 9월 화재가 발생한 이후 공정 이전 계획이 중단된 상황이다.
마이크론은 주요 DRAM 칩을 30nm 공정 기술로 생산하고 있으며 엘피다 (Elpida Memroy)가 소유한 일본 히로시마 12인치 Fab에서 25nm 공정을 향상해 모바일 DRAM 칩 생산에 박차를 가할 것으로 예상했다.
마이크론의 DRAM 생산 자회사인 대만 Inotera Memoris와 히로시마 Fab의 20nm 공정 기술 이전 스케쥴은 2014년 말, SK하이닉스의 DRAM 메모리 주요 생산 역시 29nm 공정으로 진행되고 있어 양사는 20nm 공정의 이전까지 미세공정의 본격적인 경쟁은 어려울 것으로 예상했다.
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