지난주 삼성전자와 글로벌파운드리 (Globalfoundries)의 14nm FinFET 협력 개발에 대한 소식이 전해진 가운데 TSMC의 최신 공정 적용에 대한 소식이 전해졌다.
소식을 전한 kitguru는 TSMC가 향상된 버전의 16nm FinFET 공정 양산은 2015년에 진행할 예정이며 2015년 4분기에는 10nm FinFET 공정의 시험 생산을 진행하고 2016년에서 2017년 사이 양산에 들어갈 계획이라고 전했다.
TSMC는 현재 고객들에게 16nm FinFET (CLN16FF) 공정 기술을 이용한 리스크 생산을 시험하고 있으며 2015년초부터 상업적인 칩 생산이 가능할 것으로 예상했다. 하지만 회사는 개발 중인 16nm FinFET의 향상 버전인 16nm FinFET+ 공정을 이용한 칩 양산은 2015년 말에 최적화가 가능할 것으로 예상했다.
16nm FinFET+ 공정은 기존 16nm FinFET 공정 대비 같은 전력 소모 레벨에서 최대 15% 향상한 성능을 제공할 것이라고 전했다. 또 같은 클럭과 칩 생산에 16nm FinFET+를 이용하면 16nm FinFET을 이용할 때보다 30% 더 적은 전력을 소모할 것으로 예상했다. 그리고 20nm 공정 기술을 이용하여 칩을 제작할 때와 비교해 16nm FinFET+는 최대 40% 속도 향상을 제공할 것이라고 전했다.
16nm FinFET과 16nm FinFET은 디자인적으로 같으며 호환 가능하다. 16nm FinFET+는 기존에서 최소의 변경이 이루어지며 TSMC는 95% 가량의 칩 생산 준비가 가능하다고 언급했다. 20nm 공정은 진행 중이며 16nm FinFET을 이용한 칩 생산도 스케쥴상으로 95% 준비되었다고 전했다. 이를 통해 TSMC는 16nm FinFET과 16nm FinFET+의 양산도 매우 빠르게 가능할 것으로 예상했다.
첫 15개의 16nm FinFET+의 테입아웃 시기는 2014년 계획하고 있으며 다른 45개의 스케쥴은 2015이라고 전햇다. TSMC는 이전에 25개의 16nm FinFET 테입아웃이 2014년 이루어질 것으로 예상했다.
TSMC는 16nm 공정 이후에 10nm FinFET을 계획 중이며 16nm FinFET+와 같은 전력에서 25% 이상의 클럭 향상, 에너지 효율은 45%, 2.2배 높은 밀도를 제공할 것으로 예상했다. 현재 10nm FinFET은 개발 중에 있으며 리스크 생산 시기로 2015년 4분기를 예상했다.
한편 인텔은 Airlake/ Cannonlake 프로세서를 10nm 공정을 이용해 2016년 말 생산을 시작할 것으로 전망했다. 하지만 새로운 공정은 매우 복잡하고 칩 생산에 많은 비용이 소요되므로 쉽지 않은 작업이라고 전했으며 삼성전자와 글로벌파운드리의 14nm FinFET 협력 소식 등 앞으로 공정 경쟁이 보다 치열해질 것으로 예상했다.
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