온세미컨덕터(http://www.onsemi.com/)는 기존 제품에 비해 효율성이 향상 된 6종의 N-채널 MOSFET (metal-oxide- semiconductor field effect transistors)을 출시했다고 밝혔다.
NTMFS4Hxxx와 NTTFS4Hxxx MOSFET 시리즈는 서버 및 네트워크 장비와 고전력 밀도 DC-DC 컨버터 등 광범위한 애플리케이션에 이상적인 스위칭 소자로, PoL (point-of-load) 모듈의 동기식 정류(synchronous rectification)를 지원한다. 이는 개발자가 효율을 극대화 할 수 있도록 쇼트키 다이오드가 포함 된 제품과 포함되지 않은 제품군으로 구성됐다.
온세미컨덕터는 완제품 성능의 에너지 효율성 향상을 위한 업계의 지속적인 요구에 초점을 맞춰 에너지 손실을 최소화하기 위해 신제품 MOSFET의 설계, 소재, 패키징을 최적화해왔다.
이 번에 출시된 제품들이 제공하는 0.7 밀리옴의 RDSon 성능과 3780 피코패러드(pF)의 저입력 커패시턴스는 전도성 손실, 스위칭 손실,드라이버 손실을 최소화한다. 이 MOSFET들은 또한 기존 소자에 비해 향상 된 열 성능과 낮은 패키지 저항 및 인덕턴스를 제공하도록 설계 되었다.
온세미컨덕터의 전력 소자 제품 사업부 부사장이자 총괄 매니저인 폴 레오나드(Paul Leonard)는 “점점 다양해지는 최종 제품 설계자들이 원하는 주요 요구사항은 전도와 스위칭을 통해 초래 되는 손실을 최소화함으로써 가능한 시스템 전체의 효율성 향상에 있다”며, “당사의 자체 공정 능력, 재료 및 패키징 전문성은 고객사들이 달성해야 하는 엄격한 설계 성능 목표를 달성할 수 있도록 전력 MOSFET의 성능을 향상시켰다”고 말했다.
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[뉴스] 온세미, 7세대 IGBT 기반 지능형 모듈 출시 
