SK하이닉스가 개발하고 있는 고성능 3D 메모리, HBM(High Bandwidth Memory)에 대한 자료가 유출되었다. 
videocardz에 따르면 SK하이닉스의 HBM은 1세대 모델은 DRAM 다이당 2Gb용량, 1024 I/O와 핀당 1Gbps 성능으로 128GB/s 대역폭을 제공하며, 4층 구조로 1GB 용량을 제공한다. 2세대 모델의 경우 DRAM 다이당 8Gb 용량과 4/ 8 층 구조로 4GB 또는 8GB 용량, 성능은 핀당 2Gbps로 향상됨에 따라 전체 대역폭도 256GB로 늘어나게 된다. 
SK하이닉스는 HBM이 고성능과 대용량, 저전력, 소형화를 동시에 만족할 수 있는 솔루션으로 기존 와이어 본딩 방식과 비교해 작은 크기와 고밀도, 고성능 구현에 유리하며, 와이어 본등 방식과 비교해 패키지 다이 크기는 약 36%, 면적은 동일 대역폭에서 11%, 소비전력은 51% 수준으로 개선된다고 언급했다. 
HBM은 PHY, TSV, 테스트 포트 구간의 세 영역으로 구성되며, 현재 데스크탑 시스템의 주력으로 사용되고 있는 DDR3 메모리나 그래픽 카드에 사용되는 GDDR5 메모리와 비교해 9배에서 최대 128배까지 높은 대역폭을 제공, SK하이닉스는 HBM이 향후 고사양 그래픽 시장 채용을 시장으로 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버등으로 응용 범위 확장을 기대하고 있다. 
한편, HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저(Interposer) 위에, SoC(System on Chip)와 함께 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급되기에 칩셋, 파운드리, 패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다.
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[뉴스] SK하이닉스, 세계 최초 HBM4 개발 완료 및 양산 체제 구축 
