ÃÖ±Ù ½ÇÀûÀ» ¹ßÇ¥ÇÑ UMC¸¦ ÅëÇØ 28nm °øÁ¤ÀÇ ½ÃÀå Á¡À¯À²ÀÌ È®ÀεƴÙ.
UMC´Â ¿ÃÇØ 3ºÐ±â ½ÇÀû ¹ßÇ¥¸¦ ÅëÇØ 3¹é 52¾ï 1õ¸¸ ´ë¸¸´Þ·¯ÀÇ ¼öÀÍ, ¸Å»ó ÃÑÀÌÀÍÀº 21.5%, ¼øÀÌÀÍ·üÀº 4.8%°¡ Áõ°¡Çß´Ù°í ¹àÇûÀ¸¸ç 3ºÐ±â Àüü ¼ºÀûÀº ÁÁÀº ÆíÀ̳ª 28nm °øÁ¤¿¡¼´Â TSMC¿Í Å« Â÷À̰¡ ÀÖÀ½À» ¹àÇû´Ù.
¼Ò½ÄÀ» ÀüÇÑ expreivew´Â UMCÀÇ 28nm °øÁ¤ ¼öÀÍÀº ÇöÀç 3% Á¤µµ¿¡ ¸Ó¹°·¯ ÀÖ´Â ¹Ý¸é TSMC´Â 34%¿¡ À̸£¸ç 28nm °øÁ¤ ½ÃÀå Á¡À¯À²ÀÌ 80% ÀÌ»óÀ̶ó°í ÀüÇß´Ù.

TSMC´Â 28nm °øÁ¤ÀÌ Â÷ÁöÇÏ´Â ºñÀ²ÀÌ ³ôÀ¸¸ç 20nm ù ¹øÂ° ¾ç»ê ÀÌÈÄ¿¡µµ ÇöÀç »ý»êÀ» À§ÇØ ÁýÁßÇϰí ÀÖÁö¸¸ ¿©ÀüÈ÷ °í°´µéÀÇ ¼ö¿ä¸¦ ¿ÏÀüÇÏ°Ô ¸ÂÃßÁö ¸øÇϰí ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
3ºÐ±â TSMC´Â 2õ 9½Ê¾ï 5¹é¸¸ ´ë¸¸´Þ·¯ÀÇ ¼öÀÍ, 28nm °øÁ¤Àº ÀÌÀü ºÐ±âÀÇ 37%¿¡¼ 34%·Î Ç϶ôÇßÀ¸³ª ¿©ÀüÈ÷ ´Ù¸¥ ÆÄ¿îµå¸®»çº¸´Ù ³ôÀº Á¡À¯À²À̸ç 20nm ¼öÀÍÀº 9%, 4ºÐ±â¿¡´Â Áøº¸µÈ ±â¼ú Àû¿ë µîÀ» ÅëÇØ 20%·Î Áõ°¡ÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù.
TSMC´Â 2015³â 3ºÐ±â 16nm FinFET °øÁ¤ ¾ç»êÀÌ ¿¹»óµÇ³ª »ï¼ºÀüÀÚ´Â °°Àº ½Ã±â 14nm °øÁ¤À» µµÀÔÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ¾î °øÁ¤ Â÷À̰¡ ¹ß»ýÇÑ´Ù. TSMC´Â 1³â Á¤µµ ÈÄ¿¡´Â À̸¦ µû¶óÀâÀ» °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù. UMC´Â IBM°ú Çù·ÂÀ» ÅëÇØ Â÷±â 14nm FinFETÀ» 2015³â µµÀÔ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.
|