도시바(Toshiba)가 48레이어 3차원 적층 구조 플래시 메모리를 개발했다.
도시바 코퍼레이션은 보도자료를 통해 세계 최초로 48레이어 적층 공정을 이용한 128Gb(16GB) 3차원 적층 셀 구조 플래시 메모리(BiSC)를 개발해 샘플 출하를 시작했다고 밝혔다.
BiSC는 SSD용으로 개발된 48레이어 적층 공정을 이용한 2bit/cell(MLC) 플래시 솔루션으로 하나의 칩에서 16GB 용량을 제공하며 기존 제품에 비해 쓰기 속도가 빨라지고 다시쓰기 신뢰성을 향상시켰다.
도시바는 2007년 3차원 적층 구조를 이용한 플래시를 세계 최초로 발표한 이래 생산성 최적화를 포함해 개발을 진행해왔으며 앞으로도 스마트폰, 태블릿, 메모리 카드 및 엔터프라이즈 SSD 등에 요구되는 대용량화, 소형화에 부응하기 위해 플래시 메모리의 3차원 적층 구조화를 진행시켜 SSD를 중심으로 하는 제품군을 확장할 것이라고 언급했다.
도시바는 자사의 낸드(NAND) 플래시 메모리 생산 기지인 요카이치 공장(Yokkaichi Operations)에 신규 설비인 제2팹(fab2)에서 양산 채비를 갖추고 있다. 현재 공사 중인 제2팹은 2016년 상반기 완공돼 늘어나는 플래시 메모리 수요를 감당할 예정이다.
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