인텔과 마이크론(Micron Technology)은 새로운 비휘발성(non-volatile) 메모리 기술인3D 크로스 포인트 (XPoint) 기술을 공개하고, 대용량의 데이터에 빠른 엑세스가 필요한 다양한 기기, 애플리케이션 및 서비스의 혁신을 가속화시켜 줄 것이라고 밝혔다.
이번에 밝힌 3D 크로스 포인트 기술은 트랜지스터 사용을 줄인 크로스포인트 아키텍처 기반으로 메모리 셀(cell)이 워드 라인 및 비트 라인의 교차점에 놓여 3차원의 바둑판 모양을 형성해 미세 단위로 데이터를 읽고 쓸 수 있어 보다 빠르고 효율적인 읽기/쓰기 프로세스가 가능하다.
인텔의 자료에 따르면 3D 크로스 포인트 기술은 크로스 포인트 어레이(Cross Point Array) 구조로 1,280억 개의 고밀도 패킹 메모리 셀이 수직 전도체로 연결되어 있고, 각 메모리 셀은 데이터 1비트(bit)를 저장할 수 있다. 또한 적층 가능한 구조로 현재는 2개의 메모리 레이어에 다이(die)당 128Gb를 저장할 수 있으며, 향후 후속 연구를 통해 기존의 리소그래피(lithographic) 피치 확장 방식에 더하여 더 많은 메모리 레이어를 활용할 수 있게 되면 시스템 성능이 크게 개선될 것으로 예상하고 있다.
3D 크로스 포인트 기술은 각 셀렉터로 보내지는 전압량을 다양하게 하여 메모리 셀이 쓰기 또는 읽기를 선택할 수 있어 트랜지스터가 필요 없어지면서 용량은 늘고 비용은 절감되며, 작은 셀 사이즈, 빠른 스위칭 셀렉터, 지연시간이 적은(low-delay) 크로스 포인트 어레이, 빠른 읽기 알고리즘을 통해 현존하는 다른 어떠한 비휘발성 메모리 기술보다 빠른 상태 전환이 가능함을 알렸다.
인텔은 낸드플래시와 비교 시 1,000 배 빠른 속도와 1,000배 증가된 내구성, 기존 일반 메모리와 비교 시 10배 향상된 용량을 제공하는 이러한 3D 크로스 포인트 기술의 샘플링이 2015년 말 시작될 예정이라며, 인텔 및 마이크론 양사는 3D 크로스 포인트 기술에 기반한 제품들을 각각 개발 중에 있음을 알려왔다.
인텔의 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 수석 부사장 겸 총괄 매니저인 롭 크루크(Rob Crooke)는 “수 십 년간 업계는 프로세서와 데이터 간의 지체 시간을 줄여서 보다 빠른 분석이 가능한 방법을 찾아왔다” 라며, “이번에 발표한 새로운 차원의 비휘발성 메모리는 메모리 및 스토리지 솔루션 분야의 업계 판도를 완전히 바꿀 새로운 성능을 제공해줄 것이다.” 라고 말했다.
마이크론의 사장인 마크 아담스(Mark Adams)는 “프로세서에서 장기 저장 데이터에 다다르는 데 걸리는 시간은 현대 컴퓨팅 시대의 가장 뚜렷한 장애물 중에 하나이다” 라며, “새로운 비휘발성 메모리는 혁신적 기술로 방대한 양의 데이터 셋에 빠르게 엑세스(access)하는 것을 가능하게 함은 물론 완전히 새로운 애플리케이션들을 구현할 것이다.” 라고 말했다.
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