삼성전자가 16Gb GDDR6(Graphics Double Data Rate 6) DRAM 양산을 발표했다.
2014년 12월 8Gbps의 20나노 8Gb GDDR5 DRAM 양산을 시작한 삼성전자는 속도와 용량을 2배 이상 높인 18Gbps의 10나노급 16Gb GDDR6 DRAM을 지난달부터 양산하고 있다는 내용을 전했다.
삼성전자의 '10나노급 16Gb GDDR6 DRAM'은 GDDR5 DRAM 대비 2배 빠른 속도와 저전력 설계(1.55V → 1.35V)로 전력 효율이 35% 이상 향상되었으며, 20나노 공정 대비 칩 크기가 줄어 생산성이 약 30% 증가되었다.
삼성전자는 2.4Gbps 8GB HBM2 DRAM(초당 307GB 데이터 전송) 및 18Gbps 10나노급 16Gb / 8Gb GDDR6 DRAM(초당 72GB 데이터 전송)의 양산을 통해 프리미엄 DRAM 시장에서 확고한 제품 경쟁력을 확보했다고 자평했다.
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