삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다고 발푝했다.
삼성전자는 지난 2017년 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성(陕西省) 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억 불을 투자, 삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응한다는 계획이다.
삼성전자는 이번 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중되어 있는 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고, 중국 시장 요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것이란 기대를 나타냈다.
한편, techpowerup측은 이번 설비 투자를 통해 삼성전자의 낸드 플래시 생산 능력은 2020년까지 현재의 두 배에 달하는 300mm 웨이퍼 월 22만장 수준에 달할 것으로 전망했다.
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[뉴스] 삼성전자, 업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산.. QLC V낸드는 하반기에 
