도시바(Toshiba Memory Corporation)가 업계 최초로 UFS (Universal Flash Storage) 3.0 임베디드(embedded, 내장형) 플래시 메모리 장치를 공개하고 샘플링(sampling, 표본화)을 개시하였다.
도시바 UFS 3.0 임베디드 플래시 메모리 장치에는 96층 BiCS FLASH 3D가 탑재되며 용량은 128GB, 256GB, 512GB 등 세 가지이다. JEDEC 표준 11.5 x 13.0mm 패키지에 96층 BiCS FLASH 3D 메모리와 컨트롤러가 통합되고 오류 수정, 웨어 레벨링(wear leveling, 기억장치 수명 향상 기술), 논리-물리 주소 변환 및 불량 블록 관리 등 다양한 기능을 지원해 시스템 개발 과정을 간소화시킬 수 있다.
세 가지 모델 모두 JEDEC UFS 3.0 버전을 준수하며 이론상 인터페이스 속도는 레인(lane) 당 최대 11.6Gbps (2 레인 구성 시 23.2Gbps)를 지원하고 소비전력 증가를 억제하는 'HS-GEAR4'가 포함된다. 512GB 장치는 순차 읽기 및 쓰기 성능이 이전 세대 장치와 비교하여 각각 약 70%, 약 80% 향상되었다.
즉 이전 세대 장치보다 읽기/쓰기 성능은 높고 소비전력은 적으므로 스마트폰과 태블릿을 비롯한 각종 모바일 기기, 증강현실과 가상현실 시스템용으로 적합하다.
|
[뉴스] 프로그레이드, 고성능 SDXC V90 이리듐 메모리 카드 출시 
