삼성전자가 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량인 32Gb D램을 개발했다.
삼성전자는 1일 보도자료를 통해 업계 최초 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다고 밝혔다. 이는 삼성전자가 1983년 64Kb D램을 개발한 이후 40년 만에 D램 용량을 50만배 늘리는 성과를 거둔 것이다.
삼성전자는 기존 32Gb 용량으로 128GB 메모리 모듈을 제작하려면 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술 'TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 공정'이 필요했으나, 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현하여 TSV 공정 없이 128GB 모듈을 제작 가능하게 되었다고 설명했다.
또한 동일 128GB 모듈 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대했다.
삼성전자는 올해 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어 이번에 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하여 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했으며, 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이라고 밝혔다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 황상준 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며, "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다.
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