독일 Infineon Technology에서는 65nm 공정 프로세스에 멀티 게이트 트랜지스터 기술인 Multi-Gate FINFET 기술 시험에 성공했다고 한다.
기존의 트랜지스터는 2차원 구조로 이루어져 트랜지스터가 off 상태에서도 리스크가 발생하는 문제가 있었는데 Infineon의 Multi-Gate FINFET 기술은 3차원 구조로 이루어진 구조를 사용함으로써 접촉 면적을 3배로 늘리고 트랜지스터의 on/off를 확실하게 해줄 수 있게 되었다고 한다.
실험은 65nm 공정의 프로세서로 진행하였지만, 32nm 공정의 프로세서라면 그 효과는 더 향상될 것이라고 하며, 이 멀티 게이트 트랜지스터 기술은 3천개 이상의 액티브 트랜지스터를 집적하여 실험에 성공했다고 한다. 이 3차원 멀티 게이트 트랜지스터 기술은 기존 2차원에 비해 소비전력은 절반으로 줄고 전류는 1/10, 면적은 약 30% 가량을 줄일 수 있게 되었다고 한다. 휴대용 기기에는 이 3차원 기술을 사용하면 배터리 수명을 최대 2배까지 향상 시킬 수 있게 된다.
기존 2차원 구조의 트랜지스터 기술이 나온지 50년이 지나 이번 3차원 멀티 게이트 기술이 나온 것으로 혁명적이라고 할 수 있는데 이번 3차 멀티 게이트 트랜지스터 기술은 다양한 휴대용 기기들의 배터리 사용 시간을 향상시키는 등 기존 제품들을 한단계 업그레이드 할 수 있을 것으로 예상된다.
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