삼성전자가 세계 최초로 30나노(nm) 64기가비트 낸드 플래시 개발에 성공했다고 밝혔다.
삼성전자는 이번 30나노 64기가 낸드 플래시 개발이 작년에 삼성전자가 40나노 32기가 낸드 플래시 개발시 최초로 적용했던 CTF 기술을 기반으로, 여기에 기존의 DPT 기술을 한단계 더 발전시킨 SaDPT 기술과 최첨단 설계/소자/레이아웃 등의 기술을 집대성하여 얻은 성과라고 설명했다. 또한 삼성은 이번 64기가 낸드 기술 제품 관련 30여건의 핵심 특허를 한국, 미국, 일본 등 국내 외에 출원 중이라고 밝혔다.
CFT는 전하를 도체가 아닌 부도체에 저장해 셀 사이의 정보 간섭을 최대한 억제하는 기술이다. 또한 30나노 기술은 머리카락 두께의 1/4,000 정도의 초미세 공정이며, 64기가 용량은 640억 개의 메모리 저장 장소를 손톱만한 크기에 집적시킨 것이다.
삼성전자는 이번 30나노 64기가비트 낸드 플래시 개발을 통해 최대 128기가바이트(GB)의 메모리 카드를 제작할 수 있으며, 이를 통해 2009~11년까지 약 200억 불 이상의 시장 창출 효과가 나타날 것으로 전망했다. 특히, 이번 낸드 플래시 개발에 적용된 SaDPT 기술은 향후 30나노 DRAM 및 기타 메모리 개발에도 확대 적용이 가능할 것이라고 언급했다.
한편, 삼성전자는 MLC 기반으로 만들어진 이번 30나노 64기가 낸드 플래시와 함께 SLC 기반의 32기가 낸드 플래시도 동시에 개발되었다고 덧붙였다.
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