하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 인텔(Intel)사로부터 자사의 54나노(nm) 공정 기술을 적용한 1Gb DDR2 D램 제품에 대한 인증을 획득했다고 밝혔다.
이번에 인텔의 인증을 획득한 54nm 1Gb DDR2 D램은 현재 양산 중인 66nm 공정 대비 50% 이상 생산성이 증가된 제품으로, 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리)의 속도를 지원한다.
하이닉스는 54nm 공정을 적용하기 위해 입체적으로 설계한 '3찬원 트랜지스터 기술'과 '텅스텐 듀얼 폴리 게이트(W-DPG) 공정'으로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 줄이면서 동작 속도를 향상시켰고 비용 절감의 효과도 크다고 설명했으며, 향후 수요가 증가할 것으로 기대되는 대용량 PC D램, 그래픽 D램, 모바일 D램 등 다양한 제품에 확대 적용할 계획이라고 언급했다.
새로운 54nm 제조 공정 기술은 1Gb DDR3 D램까지 확대 도입될 예정이며, 새로운 공정의 1Gb DDR2 및 DDR3 D램은 내년 하반기부터 본격 양산된다.
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