TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)는 2010 Technology Symposium에서 현재의 40nm를 이어 28nm 공정으로 이동한 후 22nm는 건너뛰고 바로 20nm 공정을 적용할 계획을 소개했다고 tcmagazine은 전했다.
TSMC의 경우 40nm 이후 32nm 공정을 건너뛰고 28nm High-K Metal Gate 공정을 적용할 것으로 알려지고 있었는데 이번 20nm 공정 적용 계획을 바탕으로 공정의 미세화에 더욱 박차를 가할 것으로 예상된다.
TSMC는 20nm 공정으로의 이전은 22nm 공정과 비교하여 게이트 밀도와 칩의 성능 향상, 그리고 비용 측면에서 유리할 것이라고 언급했으며, 보다 진보된 기술력을 제공할 수 있을 것이라고 전했다. TSMC의 20nm 공정은 High-K Metal Gate의 향상과 새로운 스트레인드 실리콘 기술, 낮은 저항력을 가진 구리 Ultra-Low-K 연결을 통해 전력 누수를 줄일 수 있을 것이며, 고클럭을 적용할 수 있게 될 것으로 알려지고 있다.
TSMC는 2012년 하반기부터 20nm 공정을 시험적으로 적용할 생산 계획을 갖고 있는 것으로 알려지고 있다.
그러나, TSMC의 40nm 공정의 경우 20nm 공정이 등장할 것으로 예상되는 2012년 하반기 즈음에는 현재보다 어느 정도 안정화가 진행될 것으로 예상되지만, 20nm 공정 역시 40nm 공정의 등장처럼 순탄하지만은 않을 것으로 예상된다.
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