트랜지스터 발명 이후 처음으로 3차원 구조 트랜지스터가 개발됐다. 2002년 인텔이 최초 공개한 트라이게이트(Tri-Gate)라 명하는 3D 트랜지스터 설계가 아이비 브리지에 들어갈 22나노 공정에 적용, 양산에 돌입한다고 밝혔다.
폴 오텔리니(Paul Otellini) 인텔 사장 겸 CEO는 "인텔의 과학자와 엔지니어가 트랜지스터를 재발명했고, 이번에는 3차원을 이용했다."라며 “이 발명 기술로 인해 만들어질 놀라운 장치는 새로운 세계를 이끌고, 또한 무어의 법칙을 새로운 영역으로 발전시킬 것이다.”라고 덧붙였다.
인텔의 3D 트라이게이트 트랜지스터는 누설전류를 최소화함으로서 저전압에서 작동하는것이 특징이다. 이에따라 성능이 개선되고 뛰어난 에너지 효율성을 가지고 있다고 인텔측은 밝혔다.
22나노 3D 트라이게이트 트랜지스터는 인텔의 32나노 평면형 트랜지스터에 비해 저 전압에서 37% 향상된 성능을 제공하며 32나노 공정 칩의 2D 평면형 트랜지스터와 동일한 성능을 보일 때 절반 미만의 전력을 소비한다.
3D 트라이게이트 트랜지스터는 개별 트랜지스터 크기를 일컫는 22나노 공정으로 인텔의 아이비브릿지에서부터 적용, 생산된다.아이비 브리지 기반 인텔® 코어™ 패밀리 프로세서는 3D 트라이게이트 트랜지스터를 사용하는 최초의 대량 양산 칩이 될 예정이다.
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