대만 디지타임즈 (Digitimes)는 중국판 EDN (Economic Dailys News)를 인용해 TSMC가 현재의 28nm 공정보다 미세한 공정으로 알려진 20nm 공정을 예정보다 앞당겨 양산에 들어갈 계획이라고 전했다.
TSMC는 4월 20일 20nm 공정을 위한 제조 설비를 설치할 계획이며 이는 원래의 계획보다 2개월여가 앞선 것이라고 밝혔다.
TSMC는 제조 설비가 완료된 이후 2분기 말 즈음 20nm 기반 SoC 제품의 테입아웃을 예상하고 있으며 초기에는 한달 동안 12인치 웨이퍼 5천장의 양산 이후 3분기 본격적으로 대규모 양산에 들어가 한달에 1만장 이상의 12인치 웨이퍼 생산이 가능할 것으로 예상했다.
TSMC는 2014년 1분기 생산 목표를 채울 것이며 이때가 되면 12인치 웨이퍼를 3-4만장 가량 생산 가능한 수준이 될 것으로 전망했다.
TSMC는 2012년 4월 20nm 공정 기술 도입에 대해 언급했으며 2013년 대만 Hsinchu에 위치한 Fab 12의 Phase 6에서 양산을 시작할 계획이었고 이후 2014년 초 대만 Tainan에 위치한 Fab 14의 Phase 5를 통해 양산을 시작할 계획을 세웠다.
또한 TSMC는 대만 Taichung에 위치한 Fab 15의 Phase 3을 2011년 9월부터 건설을 시작했고 두 번째 GigaFab으로 20nm 공정을 도입할 계획이었다. 여기에서는 정확한 양산 시기를 언급하지 않았으나 20nm 공정 기반의 웨이퍼를 매달 4만장 생산할 계획이다.
20nm 공정은 차세대 칩셋 및 GPU에 도입할 예정이며 그래픽카드 제조사인 AMD와 엔비디아도 2014년 계획되었던 차세대 GPU에는 20nm 공정을 적용할 것으로 알려졌다.
현재 라데온 HD 7000 시리즈 및 지포스 600 시리즈 후속인 28nm 공정 기반 차세대 GPU는 올해 하반기로 출시가 미루어져 AMD와 엔비디아 맥스웰 (Maxwell) 등과 같은 20nm 공정 기반 차기 GPU의 출시도 자연히 연기된 것으로 알려졌다. 하지만 TSMC에서 예정보다 앞당겨 20nm 공정 기반의 웨이퍼 양산에 들어갈 것으로 예상됨에 따라 20nm 공정의 안정화 시기도 앞당겨질 가능성으며 차기 GPU 개발 및 출시 시기에도 영향을 줄 것으로 예상된다.
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