삼성전자는 30nm급 공정의 DRAM 생산을 진행하고 있는 가운데 메모리 칩 중 특정 코드를 사용하고 있는 DDR3 메모리가 높은 확률로 고클럭의 메모리 오버클럭이 가능한 것으로 알려졌다.
테스트를 진행한 chinadiy는 현재 판매하고 있는 DDR3-1600MHz 중 메모리 칩에 HCK0가 마킹된 메모리 모듈은 매우 높은 오버클럭 잠재력을 갖고 있으며 높은 확률로 DDR3-2600MHz로 오버클럭 가능했다고 전했다.
이 사이트가 자체 테스트한 DDR3-1600MHz 메모리 모듈은 60개로 이 중에서 46개 약 77%가 1.65V 전압과 CL11-13-13-35-1T 메모리 타이밍에서 메모리 테스트 프로그램인 MemTest를 통과해 DDR3-2600MHz 메모리 오버클럭이 가능했으며 같은 전압과 메모리 타이밍에서 DDR3-2700MHz는 4개로 6.67%, DDR3-2666MHz는 17개로 28.33%, DDR3-2600MHz 이하는 14개로 23.33%였다고 전했다.
물론 여기에서 테스트된 메모리의 수는 해당 메모리 모듈의 오버클럭을 대변하기는 어렵다. 그러나 오버클럭이 비교적 잘되는 것은 그만큼 공정 안정화를 통해 생산 수율이 개선되었다는 것을 의미한다.
현재 삼성전자 DDR3 메모리 모듈은 40nm 공정에서 30nm 공정 제품이 주를 이루고 있는데 PC 메모리 모듈 스티커에 M378B5273DH0-CK0 등으로 마킹되고 이중 끝 부분의 DH0는 30nm, 40nm는 주로 CH0/ FH0로 이를 구분할 수 있다.
|
[영상] 반도체 업계 구도 완전정복!, 메모리/설계/생산 등 어려운 반도체 뉴스 이해하기 
