[벤치]뜨거운 감자, INTEL Prescott Processor에 대해 알아보자.:: 보드나라

뜨거운 감자, INTEL Prescott Processor에 대해 알아본다.

지금까지는 언제나 신제품이 등장하면 새로운 기능과 기술, 그리고 뛰어난 성능을 보여주는 것이 당연하다고 생각되어 왔지만 이렇지 않은 경우들도 간혹 나타나기도 하고 있는데 INTEL의 90nm공정 프로세서의 첫 제품인 Prescott이 신제품으로써 갖추어야 위의 3가지 덕목(?)을 모두 만족하지 못하고 있다.

이것은 이미 Prescott의 정식 리뷰들이 포스팅 되면서 많이 알려진 사실인데 Prescott에 대한 위의 3가지 덕목을 알아볼까 한다.(이번 리뷰는 샘플이 좀 늦게 입수되었기에 타 하드웨어 사이트에 비해 늦게 리뷰가 포스팅 되었다. 하지만 시기적으로 볼 때 보드나라에서 진행한 CPU 리뷰 중에서 가장 빨리 포스팅된 것임을 밝혀두는 바이다.)

Prescott의 주요 특징 :

- 90nm 제조 공정의 적용

- 기존 NetBust Microarchitecture의 개선

- 13개의 새로운 SSE3 인스트럭션 추가

- L1/L2 내부 Cache의 증가

90nm 제조 공정의 적용 : INTEL이 이번 Prescott 프로세서부터 적용한 90nm 제조 공정은 기존 Northwood코어로 이어져온 130nm 제조 공정의 다음 단계 제조 공정으로 기존 Northwood코어에 새로운 기능등을 추가하기 위해 더 많은 트랜지스터를 집적하기 위해서는 필수적인 제조 공정이다. 왜냐하면 같은 제조 공정에서 이번 Prescott코어처럼 내부 파이프라인을 늘리거나 Cache 용량을 늘리려고 한다면 CPU의 다이 사이즈가 그에 따라 증가하기 마련인데 제조 공정을 더욱 미세화 한다면 전체 크기는 변화없이 이번과 같은 기능등의 추가가 가능하기 때문이다.

특히 INTEL은 이번 90nm 제조 공정에 Strained silicon 기술을 적용하여 단순히 제조 공정의 미세화로 인해 얻어지는 트랜지스터의 집적도를 높이는 것이 아닌 트랜지스터 내부의 실리콘 원자들의 이동속도를 빠르게 만들어 최종적으로 CPU속도를 보다 빠르게 만들 수 있게 되었다고 하는데 전자들이 지나는 격자 구조의 간격을 좀더 넓혀 원자들이 빠르게 지나다닐 수 있게 만든 것이라고 한다.

그리고 제조 공정의 미세화와 함께 트랜지스터 자체의 크기도 줄여 버렸는데 현재 INTEL의 홈페이지에서는 Strained Silicon 기술과 함께 Advanced transistors라고 하여 기존 130nm 공정에 적용된 트랜지스터의 크기인 70nm보다 적은 50nm의 트랜지스터를 사용하였다고 하고 있다.

현재 Prescott에 집적된 트랜지스터는 Northwood코어에 집적된 5,500만보다 두배 이상인 1억 2,500만개라고 알려져 있는데 제조공정의 미세화와 함께 트랜지스터 자체의 크기도 줄였기에 두배 이상의 트랜지스터를 집적하고 있으면서도 프로세서 다이의 크기는 오히려 Northwood에 비해 약간 줄어들 게 되었다.(Prescott : 112㎟, Northwood : 131㎟)

INTEL의 이번 90nm 제조 공정은 역시 이전 제조 공정 변화때와 마찬가지로 더 많은 트랜지스터와 더 빠른 프로세서를 만들기 위한 진화라 할 수 있다.

그러나.. Prescott은 90nm 공정에 의한 이러한 이득에도 불구하구 많은 트랜지스터를 집적하여 그에 따른 발열도 엄청난 결과를 가져오고 있는데 제조 공정의 미세화로 사용되는 전압 자체는 줄어들었지만.. 소비되는 전류의 누수가 엄청나서 더 많은 전류를 공급하기 때문에 전체 소비전력이 올라가고 발열이 높아졌다고 알려지고 있다. 이 부분은 이미 제품 발표 이전부터 지적되어 왔던 것인데 소문이 소문으로만 끝이난게 아니라 사실로 밝혀진 부분이라고 볼 수 있다.