소니(SONY)가 업계 최초로 D램(DRAM) 적층 3층 구조 스마트폰용 CMOS 이미지 센서를 개발했다.
소니는 보도자료를 통해 전통적인 후면 조명 픽셀 부분과 신호 처리 회로 부분으로 구성된 2층 구조의 적층형 CMOS 이미지 센서에 DRAM을 추가로 적층한 3층 구조의 적층형 CMOS 이미지 센서를 개발했으며, 기존보다 빠른 이미지 판독 성능을 통해 피사체 촬영시 포컬플레인 왜곡을 억제한 사진 촬영이 가능하고 풀HD (1920x1080) 동영상은 최대 1,000fps 속도로 기존의 8배에 해당하는 슈퍼 슬로우 모션 촬영을 지원한다고 밝혔다.
새로 새발된 3층 구조 CMOS 이미지 센서는 빠른 이미지 처리를 위해 픽셀 부분에서 읽어오는 아날로그 영상 신호를 디지털 신호로 변환하는 회로를 기존의 2단 구조에서 4단 구조로 두 배 늘려 처리 능력을 향상시켰으며 다른 LSI에 신로를 출력하는 인터페이스 표준 속도 제한을 극복하기 위해 D램을 적층하고 빠른 해독 신호를 일단 D램에 저장하는 방식으로 1,930만 화소 크기의 사진 1장을 기존 속도(1//30초)보다 약 4배 빠른 1/120초에 읽을 수 있는 고속 촬영을 실현했다.
소니는 이번 개발품에서 3층에 각각 장착된 회로 사이의 노이즈 감소 등 설계상의 기술적인 어려움을 극복했으며 노출 시간을 제어하는 기계식 셔터가 없는 스마트폰도 빠르게 움직이는 피사체를 촬영하고 외부 ISP에서 신호 처리해 일반 속도의 동영상에 슈퍼 슬로우 모션을 원활하게 결합할 수 있다고 설명했다.
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