삼성전자에서 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 칩을 생산 중임을 알렸다.
송재혁 삼성전자 메모리 사업부 플래시 개발실장은 기고문을 통해 자사의 176단 V낸드가 다른 업체의 100단 초반 대 3D 낸드와 높이가 비슷하다고 전했다. 이는 3D 스케일링 기술을 통해 셀의 면적과 높이를 모두 감소시켜 체적을 최대 35%까지 줄인 결과이며, 셀의 체적을 줄이면서 발생할 수 있는 셀간 간섭 현상도 제어하는 등, 향후 수백단 이상의 초고단 V 낸드 개발 기술력도 확보하고 있다고 자평했다.
이어 업계 최소 셀 사이즈로 최대 2Gbps I/O 성능을 갖춘 7세대 V낸드 기반 소비자용 SSD를 올해 하반기 출시하고, 7세대 V낸드는 PCIe 4.0 뿐 아니라 올 연말 출시가 예상되는 인텔 엘더 레이크 플랫폼에 적용되리라 기대되는 PCIe 5.0의 성능 요구 사항도 만족 시킬 수 있을 것으로 기대를 나타냈다.
한편, 세계 최초 176단 3D 낸드 양산의 명예를 마이크론에 넘겨준 삼성전자는 이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 칩을 확보해 시장 상황과 고객 요구에 따라 제품을 선보일 수 있도록 준비 중이며, 앞으로 1000단 V낸드 시대까지 내다보고 있음을 알렸다.
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