SK하이닉스가 EUV를 활용한 4세대 D램 양산에 들어갔다.
SK하이닉스는 12일 보도자료를 통해 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 밝혔다.
이번에 양산되는 1a 공정 LPDDR4 모바일 D램은 SK하이닉스 D램 가운데 처음으로 극자외선을 통해 빛을 투사해주는 EUV 공정 기술을 통해 양산된다. 기존에는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인했던 SK하이닉스는 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 예정이다.
10나노대 D램 가운데 4세대 기술에 해당하는 1a D램은 이전 3세대(1z) 규격 제품보다 웨이퍼당 D램 수량이 약 25% 늘어나 생산성 강화로 원가 경쟁력을 높일 수 있는 것으로 알려졌다.
특히 이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도 4266Mbps를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄여 저전력 강점을 보완했다.
SK하이닉스는 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품을 하반기부터 스마트폰 제조사에게 공급할 예정이며, 작년 10월 세계 최초로 출시한 차세대 DDR5 D램도 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이라고 설명했다.
SK하이닉스 1a D램 TF장 조영만 부사장은 "이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 밝혔다.
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