핵심 반도체 전문업체인 Nexperia가 오늘 두 개의 최저 클램핑 및 커패시턴스 양방향 정전기 방전(ESD) 보호 다이오드인 PESD5V0R1BxSF를 출시했다.
능동 실리콘 제어 정류기능을 갖춘 넥스페리아의 TrEOS 기술을 기반으로 한 이 소자들은 노트북 및 주변 기기를 비롯해 스마트폰 등 다양한 휴대용 전자 기기의 USB4TM (최대 2 x 20 Gbps) 데이터 라인에 대해 최적의 신호 무결성을 보장한다.
낮은 클램핑에 최적화된 PESD5V0R1BDSF는 10GHz에서 -0.28dB의 매우 낮은 삽입 손실 수치와 -19dB의 낮은 복구 손실 수치를 제공한다. 이에 비해 PESD5V0R1BCSF는 10GHz에서 -0.25dB의 삽입 손실 데이터와 -19.4dB의 반환 손실 데이터를 통해 RF 성능에 최적화되어 있다. 두 제품은 모두 삽입 손실 및 복구 손실에 대한 비용이 더 제한된 애플리케이션에 이상적이다.
두 소자 모두 표준 0.6mm x 0.3mm 크기와 0.3mm 높이에 복구 손실을 최적화하는 솔더 패드를 장착한 최저 인덕턴스 DSN0603-2(SOD962-2) 리드리스 패키지로 하우징 된다. USB4TM 의 경우 수신기(Rx) 입력에 대해AC 커플링 캐패시터가 필수이므로 PESD5V0R1BxSF소자(>2.8V)의 전압 등급 VRWM 을 사용하면 수신기를 커넥터 바로 뒤에 배치할 수 있게 된다. 이는 캐패시터를 보호하며 최고의 시스템 수준 ESD 성능을 달성하는 데에 아주 적합한 위치이다.
이 전압 등급은 US Type-C에서 연결할 수 있는 모든 표준과 거꾸로도 호환이 된다 최대 48 Gbps(4 x 12) 로 지원되는 HDMI2.1 데이터 레이트 및 최대 40 Gbps(2 x 20)의 ThunderboltTM 값의 이 전압 등급은 또한 USB4TM 와 함께 USB 3.2, USB3.x 이전 버전 뿐 아니라 ThunderboltTM 및 HDMI2.1 (HDMI Alt Mode) 데이터 라인에도 적용된다. TrEOS 기술을 채택한 이 소자들은 그러면서도 민감한 송신기를 보호하기 위해 매우 낮은 ESD 전압 클램핑을 보장한다.
PESD5V0R1BxSF ESD 보호 소자의 제품 사양 및 데이터 시트를 포함한 상세 정보는 홈페이지를 참고하면 된다.
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