일본 메모리 업체 엘피다(Elpida)에서 차세대 메모리 'ReRAM' 개발에 성공했다고 발표했다.
엘피다는 24일 보도자료를 통해 일본 NEDO(신 에너지 산업기술 종합 개발기구)와 샤프 주식회사, 독립행정법인 산업기술종합연구소, 도쿄 대학과 공동 연구 사업으로 50nm 제조 기술을 이용해 64Mbit ReRAM 메모리 셀 어레이 동작을 확인했다고 밝혔다.
ReRAM(Resistance Random Access Memory)은 속도는 빠르지만 전원이 공급되지 않으면 데이터가 사라지는 DRAM과 전원이 공급되지 않아도 데이터는 보존되지만 성능은 DRAM보다 떨어지는 NAND 플래시 메모리의 장점을 겸비한 차세대 반도체 메모리 중 하나다.
전압에 따라 저항값이 변하는 재료를 소자로 이용한 ReRAM은 10ns의 속도로 DRAM 수준의 속도를 내면서, 다시 쓰기 성능은 100만회 이상으로 NAND 플래시 메모리의 10배 이상의 내구성을 갖춘 것으로 알려졌다.
엘피다는 향후 추가 개발을 진행해 2013년에는 30nm 공정의 기가비트(Gb)급 ReRAM 양산을 목표로 한다고 밝혔다.
또한 낸드 플래시 메모리 등 기존의 비휘발성 메모리에 비해 빠르고 다시 쓰기 횟수도 많으므로, 새로운 메모리를 낮은 비용으로 제공할 수 있다면 스마트폰, 태블릿, 초소형 노트북 등 각종 정보 기기에 탑재되는 저장 매체의 소비 전력의 대폭적인 절감에 기여할 것으로 전망했다.
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