인텔 Paul Otellini CEO는 Sanford Bernstein Technology conference를 통해 인텔은 향후 10년 동안 450mm 웨이퍼로의 이전과 EUV 전환에 집중할 것이라고 밝혔다.
또한 반도체 산업의 웨이퍼 사이즈 변화, 그리고 두가지 기술은 값비싸고 스케일이 크기 때문에 기존 반도체 제조사 절반 이상의 경쟁력 약화로 이어져 이들을 시장에서 사라지게 만들 것으로 예상된다고 전했다.
xbitlabs는 인텔이 450mm 웨이퍼 이전과 EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) 기술로의 이전을 위해 올해 반도체 제조 장비에서 선두 업체인 ASML에 투자를 진행했고 이에 따라 이들 두 기술의 거의 모든 부분 제어를 바탕으로 450mm 웨이퍼 이전과 EUV 기술 도입을 성공적으로 이끌 것으로 예상했다.
인텔은 공정 확장과 450mm 웨이퍼 이전을 바탕으로 시장이 확장되고 있는 스마트폰과 미디어 태블릿 시장에서도 대량 생산과 거대 웨이퍼를 바탕으로 생산 비용 절감을 통해 ARM이나 AMD, TSMC 등의 반도체 제조사와의 경쟁력을 갖출 수 있을 것이라고 밝혔다.
인텔은 또한 450mm 웨이퍼로의 이전을 위해 EUV 기술이 필요하고 이들 두가지 기술의 이전은 기술과 자본력 등이 필요한데 소규모 Fabless 개발사들은 이를 감당하기 힘들기 때문에 경쟁력에 큰 영향을 미칠 것이라고 전했다.
한편 450mm 웨이퍼와 EUV 기술은 TSMC와 삼성전자 등에서도 도입할 것으로 알려졌으며 ASML에 TSMC는 지분 5%, 삼성전자는 3%, 인텔은 15%의 지분을 인수한 것으로 알려졌다. TSMC는 이 기술이 7nm와 10nm 공정 제조의 중요한 열쇠가 될 것이라고 밝힌 바 있다.
TSMC는 450mm 웨이퍼 라인이 2016년 또는 2017년 동작을 시작할 것으로 예상했으며 로드맵에 따라 상업 칩 생산은 2018년부터 가능할 것으로 예상했다. TSMC는 10nm FinFET은 2016년, 450mm 기반 상업 칩은 10nm 공정 또는 7nm 공정을 이용할 것으로 알려졌다.
EUV 리소그래피 (리소그래피는 미세하고 복잡한 전자회로를 반도체 기판에 그려 집적회로를 만드는 기술, EUV 리소그래피 (극자외선 리소그래피)는 기존 칩 개발에 사용되는 DUV (Deep Ultraviolet) 리소그래피 기술과 비교해 20분의 1 수준의 파장 광선만으로 개별 회로를 미세한 크기로 조정할 수 있고 이에 따라 회로의 수도 늘어나 프로세서의 성능 향상도 가능해진다.)
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