인텔은 2013년 아이비브릿지 (Ivy Bridge) 후속으로 차세대 CPU 하스웰 (Haswell), 2014년에는 하스웰 후속으로 브로드웰 (Broadwell)을 공개할 것으로 알려졌다.
하스웰 프로세서는 아이비브릿지와 같은 22nm 공정을 유지하며 브로드웰은 보다 미세한 14nm 공정을 도입할 것으로 알려졌고 최근에 이들에 제공될 데스크탑과 모바일, 서버 구분 및 스펙에 대한 내용이 technewspedia를 통해 공개되었다.
공개된 4세대 인텔 코어 프로세서 하스웰과 5세대 코어 프로세서 브로드웰은 1M이 포함되어 제품군은 듀얼 코어에 L3 캐쉬 4MB, 2M이 포함된 제품군은 쿼드코어에 8MB의 L3 캐쉬를 탑재한다. 또한 하스웰에서는 BGA 타입의 SoC (System-On-Chip)와 PGA, 데스크탑에는 LGA1150을 적용할 것으로 확인된다.
4세대 인텔 하스웰 프로세서는 22nm 3D 트라이게이트 (Tri-Gate) 공정에 기반하며 2013년 4-5월이 예상되나 6월 2일로 연기될 것이라는 소식도 최근 전해졌다. 하스웰 프로세서 제품군은 데스크탑과 모바일, 그리고 저전력이 아래와 같이 나뉜다.
- Haswell-DT (Desktop)
- Haswell-H (Mobile)
- Haswell-MB (Mobile)
- Haswell-ULT (Ultra Low TDP)
- Haswell-ULX (Ultra Extremely Low TDP)
데스크탑은 LGA1150 소켓, 모바일은 2가지 버전으로 하스웰-H/ MB로 각각 노트북과 태블릿, 저전력 노트북에는 하스웰-ULT와 초저전력 하스웰-ULX가 적용된다.
데스크탑은 듀얼과 쿼드 코어로 구성되며, TDP는 84/ 65/ 45/ 35W 스펙의 쿼드 코어, 54/ 35W 듀얼 코어 모델, 데스크탑은 GT2 내장 그래픽, 모바일은 BGA와 PGA로 2M은 GT2, 하스웰-ULT/ ULX는 TDP 15/13.5/ 10W SoC 제품군이 GT3 (40EU)로 가장 높은 스펙의 내장 그래픽이 탑재된다.
5세대 인텔 코어 프로세서 브로드웰은 처음으로 14nm 공정을 도입하는 프로세서로 SoC 디자인이 보다 강력해진다. 하스웰과 마찬가지로 데스크탑과 모바일 제품군으로 나뉘며 아래와 같이 구분된다.
- Broadwell-D (Desktop)
- Broadwell-H (Mobile)
- Broadwell-M (Mobile)
- Broadwell-U (Ultra Low TDP)
- Broadwell-Y (Ultra Low Power)
데스크탑 브로드웰-D는 2M이 모델명에 포함되어 쿼드 코어 모델만 LGA1150 소켓을 적용할 것으로 예상되어 하스웰과 호환 가능할 것으로 예상된다. 브로드웰-H는 BGA와 PGA로 TDP 55-35W 스펙, 저전력 브로드웰-U/Y는 TDP 10-15W 스펙이 적용된다. 브로드웰 내장 GPU는 구체적으로 확인되지 않으나 이전에 소개된 바로 하스웰 내장 GPU보다 40% 더 높은 성능을 제공할 것으로 알려졌다.
추가로 하이엔드의 샌디브릿지-E (Sandy Bridge-E)의 후속 아이비브릿지-E (Ivy Bridge-E)는 2013년 중반 LGA2011 HEDT (High-End Desktop) 플랫폼으로 등장할 것으로 예상된다.
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