삼성전자가 세계 최초 '5세대 V낸드' 양산을 시작했다.
삼성전자는 10일 보도자료를 통해 세계 최초로 차세대 낸드 인터페이스를 적용해 업계 최고 속도를 구현한 256Gb(기가비트) 5세대 V낸드를 본격 양산한다고 밝혔다.
5세대 V낸드는 삼성전자 주도로 국제반도체표준협회(JEDEC)에서 표준으로 제정된 차세대 낸드 인터페이스 Toggle DDR 4.0 규격을 처음 적용한 제품으로 인터페이스 초당 데이터 전송 속도가 4세대 V낸드(800Mbps) 대비 1.4배 빠른 1,400Mbps로 올라갔다.
삼성전자는 5세대 V낸드에 자체 개발한 3대 혁신 기술을 이용해 단층을 피라미드 모양으로 쌓고 최상단에서 최하단까지 수직으로 수백 나노미터 직경의 미세한 구멍을 뚫어 데이터를 저장하는 '3차원(원통형) CTF 셀(CELL)'을 850억개 이상 형성하는 역대 최고 난이도의 기술이 적용됐다고 설명했다.
특히 단수를 올리는데 비례해 성능이 높아지는 셀 영역의 높이를 20%나 낮추는 독창적인 기술 개발로 4세대 제품 대비 생산성도 30% 이상 높인 것으로 알려졌다.
5세대 V낸드에 도입된 첫 번째 혁신 기술은 '초고속·저전압 동작 회로 설계' 기술로 데이터 입출력 속도가 4세대 V낸드 대비 1.4배 빠른 초당 1.4기가비트(1.4Gb/s)에 이르고, 동작 전압은 4세대(1.8V) 대비 33%나 낮춘 1.2V로 4세대와 동일 수준의 소비전력량으로 최고 성능을 구현한다.
또한 '고속 쓰기·최단 읽기응답 대기시간 회로 설계' 기술 적용으로 데이터를 쓰는 시간이 역대 최단 수준인 500 μs(마이크로 초)로 4세대 V낸드보다 30% 빨라졌으며, 동작을 멈춘 후 읽기응답 대기시간도 50μs로 기존 대비 대폭 줄었다.
마지막으로 '텅스텐 원자층박막 공정 기술(Atomic Layer Deposition W, ALD W)'을 통해 삼성전자는 셀 영역의 높이가 20% 낮아짐에 따라 증가하는 간섭 현상을 줄여 동작 오류를 방지하고, 동작 인식 범위를 넓혀 데이터를 더 정확하고 빨리 처리할 수 있는 특성을 확보했다.
삼성전자는 5세대 V낸드의 고객 수요 확대에 맞춰 생산 비중을 빠르게 확대해 슈퍼컴퓨터부터 엔터프라이즈 서버, 모바일 시장까지 고용량화 트랜드를 지속 주도해 나갈 계획이라고 밝혔다.
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