후지쯔에서 2019년 NRAM(Nano-RAM) 양산을 시도할 계획이다.
후지쯔는 지난 2016년 미국 Nantero社로부터 비휘발성 메모리인 NRAM 라이센스를 획득해 개발을 이어오고 있다. NRAMD은 탄소 나노튜브를 이용해 전통적인 DRAM과 스토리지 솔루션을 대체할 목적으로 개발된 비휘발성 메모리다.
tomshardware에 따르면 NRAM은 현재 시장에 공개된 비휘발성 메모리보다 빠른 쓰기 속도와 높은 밀도, 낮은 전력 소모 및 비용이 특징으로, 탄소 나노튜브 특성상 발열에 대한 내구성과 안정성도 높아, 기업용 제품이나 자동차, 군용 / 과학장비에 적합한 것으로 알려졌다.
NRAM은 내부 테스트 시 200도 환경에서도 문제없이 동작했으며, 스펙상 최대 800도를 견딜 수 있고, 85도에서는 1000년 동안, 300도에서는 10년 이상 데이터 저장이 가능하다.
후지쯔는 NRAM 임베디드 커스텀 LSI 제품을 개발 중이며, 향후 독자적인 제품도 출시할 예정이다. 후지쯔가 선보일 1세대 NRAM은 55nm 공정이 적용된다.
|
[뉴스] 다올티에스-퍼즐시스템즈, VDI 및 인프라 솔루션 개발 협력 
