삼성전자가 3배 빨라진 스마트폰 메모리(스토리지) 양산을 시작했다.
삼성전자는 17일 보도자료를 통해 역대 최고 속도의 스마트폰용 메모리 '512GB eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage 3.1)'을 세계 최초로 본격 양산한다고 밝혔다.
512GB eUFS 3.1은 기존 512GB eUFS 3.0와 비교해 연속 읽기 속도는 동일하지만 연속 쓰기 속도가 약 3배 빨라진 1.200MB/s로 FHD 영화(5GB) 한 편을 약 4초 만에 저장할 수 있다.
이는 연속 쓰기 속도 기준으로 SATA SSD를 탑재한 PC의 데이터 처리 속도(540MB/s)의 2배 이상, 스마트폰 외장 메모리로 사용되는 UHS-I microSD 카드 속도(90MB/s)보다 10배 이상 빠른 것이다.
또한 임의 읽기 및 쓰기 성능도 eUFS 3.0보다 향상됐다. 512GB eUFS 3.0 대비 임의 읽기 속도는 약 59%, 임의 쓰기 속도는 약 3% 빨라졌다.
삼성전자는 스마트폰에 512GB eUFS 3.1 메모리를 탑재하면 8K 초고화질 영상이나 수백 장의 고용량 사진도 빠르게 저장할 수 있어 소비자가 울트라 슬림 노트북 수준의 편의성을 체감할 수 있다고 설명했다.
특히 삼성전자는 플래그십 스마트폰을 PC처럼 사용하는 DeX 기능을 제공하기 때문에 eUFS 3.1 메모리가 들어간 스마트폰에서 DeX 환경의 체감 성능 향상도 기대할 수 있을 것으로 보인다.
또한 100GB의 데이터를 새 스마트폰으로 옮길 때 기존 eUFS 3.0 메모리를 탑재한 제품은 4분 이상 시간이 걸렸지만, eUFS 3.1 탑재폰은 약 1분 30초면 충분하다.
삼성전자는 512GB, 256GB, 128GB 세가지 용량으로 구성된 eUFS 3.1 제품 라인업으로 올해 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점할 계획이라고 밝혔다.
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 "메모리 카드의 성능 한계를 뛰어넘은 eUFS 3.1을 본격 양산함으로써 소비자들이 스마트폰에서 데이터를 저장할 때 느꼈던 답답함을 말끔하게 해결했다"며, "올해 모바일 제조사들이 요구하는 물량을 안정적으로 공급할 수 있도록 모든 준비를 해 나갈 것"이라고 밝혔다.
eUFS 3.1 탑재 스마트폰은 하반기 출시될 삼성 갤럭시 노트 20과 갤럭시 폴드 후속 모델이 될 가능성이 높다. 또한 스마트폰 외에도 SSD가 아닌 eUFS를 사용하는 모바일 태블릿에도 들어갈 것으로 추측된다.
한편 삼성전자는 평택캠퍼스 P1 라인에서 생산중인 5세대 V낸드를 6세대 V낸드로 본격 전환하고, 최근 첫 제품 출하식을 가진 중국 시안(西安) 신규 2라인(X2)에서도 5세대 V낸드 양산을 시작해 플래그십 스마트폰에서 하이엔드 스마트폰 시장까지 본격 공략할 계획이다.
|
[영상] 반도체 업계를 주름잡던 일본은 어쩌다 시대 흐름에 뒤쳐졌나? [PC흥망사 8-3] 
