SK하이닉스(SK Hynix)가 세계 최초로 DDR5 메모리를 출시했다.
SK하이닉스는 6일 보도자료를 통해 세계 최초로 DDR5 D램을 출시한다고 밝혔다. DDR5는 차세대 D램 규격으로 빅데이터, 인공지능, 머신러닝 등에 최적화된 초고속, 고용량 제품이다.
SK하이닉스는 2018년 11월 16Gb DDR5를 세계 최초로 개발한 이후 인텔 등 주요 파트너사들에게 샘플을 제공, 다양한 테스트와 동작 검증, 호환성 검증 등을 모두 완료했으며, 향후 DDR5 시장이 활성화되면 언제든지 제품을 판매할 수 있게 됐다고 밝혔다. 아울러 시높시스, 르네사스, 몬타지 테크놀로지, 램버스도 DDR5 생태계 조성에 대한 지속적인 협력 의지를 전해왔다고 언급했다.
DDR5 D램 개발에 대해 그동안 SK하이닉스는 SoC(System On Chip) 업체 등과 현장 분석실(On-site Lab) 공동 운영, 실장 테스트(System Level Test), 각종 시뮬레이션 등을 진행해 DDR5의 동작 검증을 완료했으며, D램 특성에 영향을 미치는 RCD(Register Clock Driver), PMIC(Power Management IC) 등 모듈을 구성하는 주요 부품들 간의 호환성 검증을 글로벌 파트너사들과 긴밀하게 진행해왔다고 설명했다.
SK하이닉스에서 출시한 DDR5 D램은 2세대 10나노급(1ynm) 제조공정으로 개발되었으며, 이전 세대인 DDR4 공식 규격 3,200Mbps 대비 4,800~5,600Mbps 전송 속도를 구현해 최대 1.8배 빨라졌다. 또한, 동작 전압은 1.2V에서1.1V로 낮아져 전력 소비가 20% 감축됐다.
DDR4 메모리 중에서도 제조사들이 메모리 칩 테스트를 거쳐 4,000Mbps 이상의 속도를 구현한 오버클럭 메모리가 출시되고 있지만, JEDEC(국제반도체표준협의기구) 인증 공식 규격이 아니어서 CPU 및 메인보드에서 해당 오버클럭 프로필을 지원해야 하며 동작 전압도 대부분 1.35V 이상으로 DDR4 전압보다 올라가 전력 소비가 늘어나게 된다.
DDR5 메모리의 경우 데이터 전송 속도가 3,200~6,400Mbps로 예상되며 향후 8,400Mbps 또는 8,800Mbps 속도까지 논의 중이어서 DDR4 대비 전송 속도가 2배 이상 올라갈 것으로 예상되고 있다.
또한 칩 내부에 오류정정회로(ECC, Error Correcting Code)를 내장해 여러 원인에 의해 발생할 수 있는 D램 셀(Cell)의 1비트(Bit)의 오류까지 스스로 보정할 수 있게 한 점도 특징이다.
SK하이닉스 측은 이러한 기술을 통해 자사의 DDR5를 채용하는 시스템의 신뢰성은 약 20배 향상될 것으로 예상했으며, 여기에 TSV(Through Silicon Via) 기술이 더해지면 256GB(기가바이트)의 고용량 모듈 구현이 가능해져 전력 소비를 낮추면서 신뢰성을 대폭 개선한 친환경 DDR5가 데이터센터의 전력 사용량과 운영비용을 절감시킬 수 있을 것으로 기대했다.
인텔의 데이터플랫폼 그룹 캐롤린 듀란(Carolyn Duran) 부사장은 "인텔과 SK하이닉스는 JEDEC 표준화를 통해 초기 아키텍처 개념부터 DDR5 표준 사양 개발에 이르기까지 긴밀히 협력해 왔다"며 "성능 확보를 위해 시제품 설계와 검증 등에 양사가 협업하여 고객 대응 준비를 완료했다"고 말했다.
SK하이닉스 GSM담당 오종훈부사장은 "세계 최초로 DDR5 출시를 하게 되어 D램 시장에서 미래 기술을 선도하게 되었다"며 "빠르게 성장하는 프리미엄 서버 시장을 집중 공략하여 서버 D램 선도 업체의 위상을 더 공고히 하겠다"고 말했다.
JEDEC(국제반도체표준협의기구)은 금년 7월 차세대 D램인 DDR5의 표준규격을 공식 발표한 바 있다.
시장조사기관 옴디아는 DDR5의 수요가 2021년부터 본격적으로 발생하기 시작해 2022년에는 전체 D램 시장의 10%, 2024년에는 43%로 지속 확대될 것으로 예상했다.
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