첨단 반도체 설계 및 칩 통합 방식에 대한 혁신적인 공정 솔루션과 전문성을 제공하는 선도 기업인 EV Group(이하 EVG)은 오는 2월 11일부터 13일까지 서울 코엑스 전시장에서 개최되는 세미콘 코리아 2026(SEMICON Korea 2026)에서 이종 집적(heterogeneous integration), 첨단 패키징 및 미세 피치 웨이퍼 프로브 카드 제조를 위한 최신 솔루션을 선보일 예정이라고 밝혔다(부스 번호: DS26). 이번에 소개할 솔루션에는 EVG의 GEMINI® FB 양산용 웨이퍼 본딩 시스템, EVG®40 D2W 다이-투-웨이퍼 오버레이 계측 시스템, IR LayerRelease™ 박막 분리 기술 플랫폼, 그리고 EVG의 고처리량 LITHOSCALE® XT 마스크리스 노광 시스템이 포함된다.
EVG의 장비 및 공정 솔루션은 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 첨단 메모리 디바이스는 물론, 센서와 미세 피치 웨이퍼 프로브 카드 제조를 포함한 첨단 패키징 및 MEMS 애플리케이션 전반에서 제조 기술을 발전시키는 데 있어 핵심적인 역할을 수행하고 있다. 또한 EVG는 세미콘 코리아 2026에서 자사의 LayerRelease 박막 분리 기술 플랫폼 및 마스크리스 노광 플랫폼에 초점을 맞춘 두 개의 기술 세션에도 참여할 예정이다.
EVG의 게오르크 베르거(Georg Berger) 아태지역 세일즈 매니저는 “한국의 기술 기업과 연구 기관들은 전세계 반도체 산업, 특히 첨단 메모리, 3D 집적 및 패키징 기술 분야의 혁신을 지속적으로 선도해 왔다”며, “EVG는 현장에서 검증된 솔루션과 한국 내 강력한 애플리케이션 및 서비스 역량을 통해 한국의 고객과 파트너를 지원하고 있다는 점을 자랑스럽게 생각한다”고 밝혔다.
EVG 코리아의 윤영식 지사장은 “세미콘 코리아와 같은 행사는 우리에게 하이브리드 본딩, 리소그래피, 박막 분리 분야에서 EVG의 최신 기술을 소개하고, 반도체 제조의 미래를 만들어가는 업계 리더들과 협력할 수 있는 중요한 기회를 제공한다”고 말했다.
첨단 메모리 및 3D 집적을 위한 고수율 하이브리드 본딩 지원
웨이퍼-투-웨이퍼(W2W) 하이브리드 본딩은 차세대 3D NAND 및 DRAM 양산의 수율을 높이고 확장성을 향상하는 데 필수적인 기술로, 이를 위해서는 서브마이크론 수준의 정렬 정확도와 우수한 본딩 강도가 필요하다. 다이-투-웨이퍼(D2W) 하이브리드 본딩은 칩렛 집적, HBM 스택, 3D 시스템온칩(SoC) 집적 공정을 가능하게 하는 핵심 기술이다. EVG는 W2W 본딩을 위한 완전한 하이브리드 본딩 공정 플로우를 제공할 뿐만 아니라, D2W 하이브리드 본딩을 위한 표면 준비, 세정, 집합 다이 전사(collective die transfer), 고정밀 정렬 기능 등 포괄적인 기능들을 제공한다. 최근 발표한 EVG40 D2W는 D2W 본딩을 위한 고정밀 인라인 오버레이 계측을 제공하여, 고객이 다이 배치 정확도와 성능을 극대화할 수 있도록 실시간 피드백 루프를 지원한다.
첨단 패키징 및 프로브 카드 애플리케이션을 위한 마스크리스 노광 리소그래피
EVG의 LITHOSCALE 플랫폼은 고해상도 스티치리스(stitch-free) 패터닝, 강력한 디지털 리소그래피, 그리고 우수한 처리량 성능을 결합해 다양한 패키징 및 MEMS 애플리케이션을 위한 매력적인 리소그래피 솔루션을 제공한다. 이 플랫폼은 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 디바이스용 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징(FOWLP), 미세 피치 웨이퍼 프로브 카드, 첨단 이미징 센서, 그리고 보안 및 자동차 애플리케이션을 위한 다이 추적성(die traceability) 등 다양한 애플리케이션에 활용된다. 또한 EVG의 MLE™(Maskless Exposure) 기술은 빠른 노광 속도, 유연한 데이터 처리, 확장 가능한 아키텍처를 갖추고 있어, 고해상도 패터닝과 신속한 설계 변경이 요구되는 양산 환경에 매우 적합하다.
이와 함께 최근 새로 선보인 LITHOSCALE XT 신형 시스템은 기존 업계 벤치마크였던 LITHOSCALE 시스템 대비 최대 5배 향상된 처리량 성능을 제공하여, 이종 집적 대량 생산(high-volume manufacturing) 애플리케이션에 디지털 리소그래피를 구현할 수 있게 해준다.
IR LayerRelease를 통한 초박형 다이 스택 구현
EVG의 IR LayerRelease 기술은 프런트엔드 공정과 완전히 호환되는 박막 분리 기술로, 실리콘이 투과 가능한 적외선(IR) 레이저를 사용하는 것이 특징이다. 특수하게 형성된 무기질 레이어를 사용하는 이 기술은 나노미터 수준의 정밀도와 업계 최고 수준의 디본딩 처리량으로, 실리콘 캐리어로부터 초박형 필름 또는 레이어를 레이저로 선택적으로 분리할 수 있도록 한다.
따라서 IR LayerRelease를 활용하면 첨단 패키징에서 유리 기판을 사용할 필요가 없고, 3D-IC 및 3D 순차 집적 애플리케이션을 위한 완전히 새로운 공정 플로우가 가능해, 실리콘 캐리어 상의 초박형 레이어에 대해서도 하이브리드 및 퓨전 본딩이 가능해진다.
[영상] 창신메모리(CXMT)는 메모리 가격 안정화에 도움이 될 수 있을까?, [메모리 가격 폭등 5부] 
