인텔이 차세대 14A 공정의 개발 속도에 강한 자신감을 나타냈다.
인텔 CFO 데이비드 진스너는 최근 도이체방크 2026 테크놀로지 컨퍼런스에서 14A 공정의 결함 밀도 개선 속도가 2012년 22nm 공정 이후 가장 빠른 수준이라고 밝혔다.
결함 밀도 개선 속도는 공정 수율과 직접 연결되는 지표인 만큼, 인텔은 14A가 현재까지 비교적 순조롭게 개발되고 있다는 점을 강조한 셈이다. 진스너는 지난해에도 같은 개발 단계에서 비교했을 때 14A의 수율과 성능이 18A보다 양호하다고 설명한 바 있다.
인텔은 이미 14A를 적용할 첫 내부 제품 설계에 들어간 상태이며, 외부 파운드리 고객들도 해당 공정을 평가하고 있다. 초기 외부 고객의 설계 계약은 2026년 하반기부터 2027년 상반기 사이 등장할 것으로 기대하고 있다.
14A 공정은 인텔 파운드리 사업의 향후 방향을 좌우할 핵심 공정으로 평가된다. 인텔은 2027년 리스크 생산, 2028년 대량 생산을 목표로 하고 있으며, 14A를 통해 TSMC의 첨단 공정과 본격적으로 경쟁한다는 계획이다.
기술적으로는 18A보다 한 단계 발전한 구조가 적용된다. 14A에는 2세대 RibbonFET과 차세대 후면 전력 공급 기술 PowerDirect의 결합으로 18A 대비 동일 전력에서 15~20% 높은 성능, 또는 동일 성능에서 25~35% 낮은 소비전력, 최대 30% 높은 트랜지스터 밀도를 목표로 하고 있다.
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