TDK과 IBM은 신형반도체 메모리의 공동 개발을 시작했다고 발표했다. 그동안 IBM이 연구해 온 메모리 기술에 TDK의 자성재료기술을 적용해 대용량화에 대한 개발을 진행시킬 예정이다. 4년후를 목표로하는 65nm 제조 공정을 개발할 방침이다.
두 회사가 공동 개발하는 것은 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)이라 불리우는 차세대 메모리로 메모리 소자에 자성체를 이용하여 자성체의 자화 방향에 따라 데이터를 기록하는 비휘발성 랜덤 액세스 메모리이다.
MDRAM은 전원을 차단해도 데이터의 유지가 가능하며 재기록 동작 횟수에 제한이 없으며 고속화를 제공할 수 있다는 특징을 갖추고 있다. 현재 PC나 휴대폰에 사용되는 플래시 메모시나 DRAM등을 충분히 대체할 수 있지만 기록 용량이 작다는 결점을 갖추고 있다.
MRAM은 미국의 프리스케일사가 세계 최초로 DRAM 기술을 상용화하였으며 도시바와 NEC등 다른 반도체 회사들도 기술 개발을 하고 있는 상황이다. TDK와 IBM은 집적도를 높히고 현재의 DRAM과 동일한 수준의 용량으로 향상시킬 계획이다.
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