캘리포니아에 위치한 신생 메모리 기업 크로스바는 플래시 메모리에 도전하는 비 휘발성 메모리 기술을 발표했다. Crossbar RRAM이라고 명명된 이 메모리는, 200제곱 밀리미터 (엄지손톱만한 크기)에 1TB를 저장할 수 있는 칩이라고 전해졌다.
이번에 대용량화를 발표한 크로스바의 RRAM은, 전기 저항식 메모리 RRAM을 3D 형태로 3층으로 적층한 형식으로, 이미 크로스바 셀 어레이가 가능한 CMOS 컨트롤러까지 포함한 형태라고 전해졌다.
지금까지 밝혀진 크로스바의 RRAM은 일반 낸드플래시보다 20배 빠른 쓰기 속도(일반 낸드플래시 7MB/s, 크로스바 RRAM 140MB/s) 와 10배의 신뢰성(일반 낸드플래시 85'c에서 1~3년, 크로스바 RRAM 125'c에서 10년), 그리고 20분의1 전력 소비량과 절반 정도의 크기가 특징이라 밝혔다.
이 외에 공식 데이터에 따르면 25nm 공정 8Gb 셀의 경우 낸드 플래시는 167mm2의 면적을 가지지만 RRAM은 77mm2로 같은 공정에서도 크기가 훨씬 작으며, 25nm 공정 이후 심각한 성능 하락과 쓰기 수명 문제가 있는 낸드플래시와 달리 5nm 공정에서도 신뢰성이 유지될 것이라고 밝혔다.
크로스바의 RRAM은 스토리지,SSD, 클라우드컴퓨팅에 필요한 산업용 네트워크 장비, 등의 임베디드 장비가 목표이며, NOR와 NAND 플래시 메모리를 대체할 것이라고 알려졌다.
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