도시바(Toshiba Corporation)가 3D NAND(NAND) 플래시 메모리 생산라인을 신설한다.
도시바는 보도자료를 통해 일본 미에현에 위치한 NAND 플래시 메모리 생산시설인 요카이치(Yokkaichi) 공장의 제2반도체
생산라인(제2팹)을 철거하고 그 자리에 새로운 생산라인을 설치할 계획이라고 발표했다.
신규 웨이퍼 팹의 주요 목적은 도시바와 샌디스크(SanDisk)의 기존 2D NAND 플래시 용량을 2016년부터 3D NAND 플래시
용량으로 전환하기 위한 시설을 확보하는데 있으며, 이를 위해 도시바는 샌디스크와 신규 생산 시설에 공동 투자하기로 하는 양해각서를 체결했다고
밝혔다.
요카이치 공장 제2팹 시설의 철거 작업은 5월부터 시작하고, 3D NAND 플래시 생산을 위한 신규 시설은 올해 9월에 착공해 2015년
여름 준공을 목표로 하고 있다.
신규 팹은 주로 3D NAND 메모리를 처리하는 보완 시설로서 요카이치 공장의 다른 시설과 긴밀히 연계하여 운영할 예정이다. 도시바와
샌디스크는 공동 투자를 통해 새로운 팹에 노광장치, 증착, 식각 등을 위한 첨단 제조 장비를 설치할 계획이다.
새로운 생산라인의 청정실은 2D NAND 플래시 메모리 용량을 3D NAND 플래시 용량 제품으로 전환하는 시기에 맞춰 단계적으로 설치될
예정이며, 1차 청정실은 2016년 3D NAND 제품의 출시가 가능하도록 적절한 시기에 완공할 계획이다. 새 생산라인의 용량 확대 전환시기와
장비 투자, 생산 개시 시기, 생산 규모 등은 시장 추세에 따라 결정할 예정이다.
나루케 야스오(Yasuo Naruke) 도시바 수석 부사장 겸 반도체 및 저장장치 제품 부문 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "우리의 이번
첨단 기술 개발 결정은 지속적으로 증가하고 있는 NAND플래시 메모리의 수요에 대응하겠다는 우리의 의지의 표현이다"며 "우리는 샌디스크와의
합작을 통해 요카이치 시설에서 가격 경쟁력 있는 차세대 메모리를 생산할 수 있을 것이다"고 말했다.
샌디스크의 산제이 메흐로트라(Sanjay Mehrotra) 사장 겸 최고경영자(CEO)는 "우리는 3D NAND 메모리 시대 기술을 더욱
발전시키는 이번 신규 웨이퍼 팹을 통해 오래 지속되어 온 협력관계를 계속하게 된 것을 기쁘게 생각한다"고 말했다.
새로운 팹은 내진 구조와 건물 전체에 LED 조명을 설치하는 등 환경 친화적인 시설로 건설될 예정이다. 또한 최신 에너지 절감 제조 장비를
설치하여 생산성을 높이고 전력 소비를 낮출 수 있게 된다. 폐열 사용의 효율성을 높여 연료 소비를 감소시키고 현재 요카이치 시설에서 가장 첨단
생산 라인인 제5팹에 비해 이산화탄소(CO2) 배출을 15% 절감하게 된다.
도시바와 샌디스크는 이번 합작을 통해 요카이치의 기존 시설을 최대한 활용함으로써 3D NAND메모리로의 전환을 위한 투자 효율성을 극대화할
예정이다. 향후 두 회사는 첨단 공정 기술을 공동 개발하고 시장 수요를 충족시키기 위해 투자를 지속할 예정이다.
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