삼성전자가 14나노미터(nm) EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 공정을 적용한 DDR5 메모리 양산을 시작했다.
삼성전자는 12일 보도자료를 통해 EUV 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다고 밝혔다. 지난 해 3월 업계 최초 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한데 이어 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화되는 공정 기술력을 선보이고 있다고 설명했다.
5개의 레이어(Layer)에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고 수준 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐으며, 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선된 것으로 알려졌다.
삼성전자는 이번 신규 공정을 올해 말부터 본격적으로 전환되는 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용한다.
DDR5는 최고 7.2Gbps 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있다.
PC 시장 역시 인텔의 12세대 코어 프로세서(엘더 레이크) 및 AMD 라이젠 6000 시리즈부터 DDR5 D램을 지원하는 새로운 플랫폼으로 본격적인 전환을 시작할 예정이다.
삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다. 또한 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.
삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 이주영 전무는 "삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다"며, "고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다"고 밝혔다.
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